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申请/专利权人：西湖大学
申请日：2021-05-18
公开（公告）日：2024-06-14
公开（公告）号：CN115377178B
主分类号：H01L29/06
分类号：H01L29/06;H01L29/41;H01L29/423;H01L29/78;H01L21/336
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.14#授权;2022.12.09#实质审查的生效;2022.11.22#公开
摘要：本发明实施例涉及半导体器件领域，公开了一种多栅极环绕晶体管及其制备方法。本发明中，一种多栅极环绕晶体管，包括：至少一个半导体纳米线，半导体纳米线四周环绕设置有T个栅极纳米线，半导体纳米线和栅极纳米线之间设有绝缘介质层；半导体纳米线的两端分别作为晶体管的源极和漏极；T为大于等于2的整数。该实施例解决了多栅极晶体管因半导体纳米线共用一个栅极而无法实现寻址性控制的难题。
主权项：1.一种多栅极环绕晶体管的制备方法，其特征在于，包括：在绝缘模板上制备至少一个第一孔，并在所述绝缘模板上制备至少T个第二孔；每个所述第一孔的四周环绕有T个所述第二孔；T为大于等于2的整数；所述第一孔为盲孔；在所述第一孔中沉积半导体纳米线，并在所述第二孔中沉积栅极纳米线，以得到所述多栅极环绕晶体管，其中，所述多栅极环绕晶体管包括：至少一个所述半导体纳米线，所述半导体纳米线四周环绕设置有T个所述栅极纳米线，所述半导体纳米线和所述栅极纳米线之间设有绝缘介质层；所述半导体纳米线的两端分别作为所述晶体管的源极和漏极；所述绝缘模板中的氧化铝填充在所述半导体纳米线和所述栅极纳米线之间；所述绝缘模板为二元孔阳极氧化铝模板。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西湖大学 多栅极环绕晶体管及其制备方法
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