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申请/专利权人：JX金属株式会社
申请日：2020-12-23
公开（公告）日：2024-06-14
公开（公告）号：CN113646896B
主分类号：H01L29/06
分类号：H01L29/06;H01L29/20;H01L21/02;B24B1/00;C30B29/40;C30B33/10
优先权：["20200129 JP 2020-013045","20200508 JP 2020-082768"]
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.14#授权;2021.11.30#实质审查的生效;2021.11.12#公开
摘要：本发明提供一种通过背磨等方法从晶片背面进行研磨时，晶片边缘的尖锐得到抑制的磷化铟基板。一种磷化铟基板，其特征在于，在晶片中取与主面平行的平面A时，包含晶片边缘与平面A的交线且与晶片边缘相切的平面B与平面A的向晶片外侧方向延长的面在主面侧所成的角θ，就距主面的距离成为100μm以上且200μm以下的所有平面A而言均为0°＜θ≤110°，在与晶片边缘正交的剖面中，至少在主面侧具有边缘圆角，主面侧的边缘圆角的曲率半径Rf为200～350μm。
主权项：1.一种磷化铟基板，其特征在于，在晶片中取与主面平行的平面A时，包含晶片边缘与所述平面A的交线且与所述晶片边缘相切的平面B与所述平面A的向晶片外侧方向延长的面在主面侧所成的角θ，就距所述主面的距离成为100μm以上且200μm以下的所有所述平面A而言均为60°≤θ≤100°，在与所述晶片边缘正交的剖面中，至少在所述主面侧具有边缘圆角，所述主面侧的边缘圆角的曲率半径Rf为223～350μm，所述主面侧的从晶片边缘起的倒角宽度为50～95μm。
全文数据：
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
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