申请/专利权人:苏州华星光电技术有限公司
申请日:2024-03-12
公开(公告)日:2024-06-21
公开(公告)号:CN118231410A
主分类号:H01L27/12
分类号:H01L27/12;G02F1/1676;G02F1/1675;G02F1/1685
优先权:
专利状态码:在审-公开
法律状态:2024.06.21#公开
摘要:本申请提供了一种阵列基板,所述阵列基板包括:衬底、第一栅极、栅极绝缘层、第一半导体层、第一源极、第一漏极、钝化层和像素电极层,钝化层设于第一源极、第一漏极和第一半导体层上,钝化层设有第一通孔,第一通孔贯穿钝化层且暴露一部分第一漏极;像素电极层设于钝化层上,像素电极层的一部分位于通孔中并与第一漏极连接,像素电极层设有至少一个开孔,开孔贯穿像素电极层,开孔的至少两个相对侧壁衬底上的正投影之间的距离小于14um,开孔的至少一部分位于第一栅极的至少一部分和或第一源极的至少一部分的正上方。本申请可以减少矩阵黑点的出现。
主权项:1.一种阵列基板,其特征在于,包括:衬底;第一栅极,设于所述衬底上;栅极绝缘层,设于所述第一栅极和所述衬底上;第一半导体层,设于所述栅极绝缘层上;第一源极,设于所述栅极绝缘层上,所述第一源极与所述第一半导体层连接;第一漏极,设于所述栅极绝缘层上,所述第一漏极与所述第一半导体层连接;钝化层,设于所述第一源极、所述第一漏极和所述第一半导体层上,所述钝化层设有第一通孔,所述第一通孔贯穿所述钝化层且暴露一部分所述第一漏极;以及像素电极层,设于所述钝化层上,所述像素电极层的一部分位于所述通孔中并与所述第一漏极连接,所述像素电极层设有至少一个开孔,所述开孔贯穿所述像素电极层,所述开孔的至少两个相对侧壁在所述衬底上的正投影之间的距离小于14um,所述开孔的至少一部分位于所述第一栅极的至少一部分和或所述第一源极的至少一部分的正上方。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 苏州华星光电技术有限公司 阵列基板
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