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申请/专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日：2022-12-28
公开（公告）日：2024-06-18
公开（公告）号：CN118215384A
主分类号：H10N50/10
分类号：H10N50/10;H10N50/80;H10B61/00
优先权：["20221215 US 18/081,698"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.18#公开
摘要：本发明提供一种磁性存储器结构。磁性存储器结构包含多个磁性隧道结MTJ层和多个重金属层。多个磁性隧道结层包含：固定层；阻挡层，形成在固定层下；以及自由层，形成在阻挡层下。多个重金属层安置在自由层下。
主权项：1.一种磁性存储器结构，其特征在于，包括：多个磁性隧道结MTJ层，包括：固定层；阻挡层，形成在所述固定层下；自由层，形成在所述阻挡层下；以及多个重金属层，安置在所述自由层下。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 财团法人工业技术研究院 磁性存储器结构
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