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申请/专利权人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
申请日：2024-02-01
公开（公告）日：2024-06-18
公开（公告）号：CN118213354A
主分类号：H01L23/538
分类号：H01L23/538;H01L25/16;H01L23/29;H01L23/31;H01L21/56;H01L21/768
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.18#公开
摘要：本发明涉及一种多芯片高密度互联结构及其制造方法。该结构包括：多个塑封层，包括第一塑封层和第二塑封层，所述第一塑封层中设置垂直互连结构以及硅桥,所述硅桥布置在所述第一塑封层中任意高密局部互连的区域；多个芯片模块，所述多个芯片模块的第二表面设置微凸点和底填层，所述第二塑封层包覆所述多个芯片模块；多个重布线层，包括第一重布线层和第二重布线层，所述第一重布线层的第一表面通过所述垂直互连结构与所述第二重布线电连接；焊球，所述焊球与所述第一重布线层电连接；所述多个芯片模块之间通过所述微凸点、所述硅桥和或所述第二重布线电连接。该互联结构，将多个芯片模块塑封在第二塑封层中，将硅桥和无源器件塑封在第一塑封层中，通过重布线层和硅桥实现芯片的电连接，增大了封装的尺寸，降低了封装成本，有助于减少大尺寸多芯片封装的翘曲风险。
主权项：1.一种多芯片高密度互联结构，其特征在于，包括：多个塑封层，包括第一塑封层和第二塑封层，所述第一塑封层中设置垂直互连结构以及硅桥；多个芯片模块，所述多个芯片模块的第二表面设置微凸点和底填层，所述第二塑封层包覆所述多个芯片模块；多个重布线层，包括第一重布线层和第二重布线层，所述第一重布线层的第一表面通过所述垂直互连结构与所述第二重布线电连接；焊球，所述焊球与所述第一重布线层电连接；所述多个芯片模块之间通过所述微凸点、所述硅桥和或所述第二重布线电连接。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 一种多芯片高密度互联结构及其制造方法
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