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申请/专利权人：苏州大学
申请日：2024-03-13
公开（公告）日：2024-06-18
公开（公告）号：CN118213419A
主分类号：H01L31/0232
分类号：H01L31/0232;H01L31/102;H01L31/18
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.18#公开
摘要：本发明属于光电子技术领域，具体涉及一种窄带近红外热电子光电探测器及其制备方法和应用。顶层金属光栅吸收近红外光，产生热电子注入到超薄硅膜层中，然后被底部电极收集形成光电流。顶层金属光栅与硅薄膜形成了肖特基接触，实现了低于硅能量带隙的近红外光探测。金属光栅厚度小，增加金属内部光电发射，为肖特基势垒上热电子发射提供更多机会，进一步提高光电探测器效率。同时通过调节金属光栅宽度可改变探测器的共振波长，实现了波长可调的近红外光电探测器。由于硅很薄，施加小偏压即可在硅薄膜中引起强电场引发雪崩倍增效应。本发明拓宽了传统硅基光电探测器工作波段，且实现了响应度峰值可调，在硅基光电子器件中具有非常大的应用前景。
主权项：1.一种窄带近红外热电子光电探测器，其特征在于，包括依次设置的铝薄膜3，硅薄膜1和金属光栅8；所述金属光栅8的材质选自金属氮化物、金属氧化物、单一金属或多种金属合金，所述金属光栅8与硅薄膜1形成肖特基势垒结构。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 苏州大学 一种窄带近红外热电子光电探测器及其制备方法和应用
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