申请/专利权人:三星电子株式会社
申请日:2023-08-18
公开(公告)日:2024-06-18
公开(公告)号:CN118213375A
主分类号:H01L27/146
分类号:H01L27/146
优先权:["20221216 KR 10-2022-0177007"]
专利状态码:在审-公开
法律状态:2024.06.18#公开
摘要:提供了一种图像传感器,所述图像传感器包括至少一个像素,并且所述至少一个像素包括在具有第一表面和第二表面的半导体基底中的光电转换区域、在半导体基底中与光电转换区域间隔开的浮置扩散区域以及从半导体基底的第一表面延伸到半导体基底中的垂直传输栅电极。传输沟道在光电转换区域与浮置扩散区域之间。
主权项:1.一种图像传感器,所述图像传感器包括至少一个像素,其中,所述至少一个像素包括:光电转换区域,在具有彼此相对的第一表面和第二表面的半导体基底中;浮置扩散区域,在半导体基底中与光电转换区域间隔开;以及垂直传输栅电极,从半导体基底的第一表面延伸到半导体基底中,其中,传输沟道在光电转换区域与浮置扩散区域之间,其中,垂直传输栅电极在平面图中具有沿着浮置扩散区域的外围的环形形状,并且其中,垂直传输栅电极具有在从光电转换区域到浮置扩散区域的电荷传输路径中的开口。
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