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申请/专利权人：广州华星光电半导体显示技术有限公司
申请日：2024-03-11
公开（公告）日：2024-06-18
公开（公告）号：CN118213410A
主分类号：H01L29/786
分类号：H01L29/786
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.18#公开
摘要：本申请提供一种薄膜晶体管及显示面板，薄膜晶体管包括：栅极；有源层，位于所述栅极在第一方向上的一侧，所述第一方向垂直于所述有源层；及源极和漏极，位于所述有源层在第一方向上的一侧；其中，所述有源层包括沿第二方向延伸的第一有源部和沿第二方向延伸的第二有源部，所述第一有源部和所述第二有源部均与所述源极和所述漏极连接，所述第一有源部和所述第二有源部同层设置，且所述第二有源部的电阻率大于所述第一有源部的电阻率，所述第二方向为自所述源极至所述漏极的方向。本申请提供的薄膜晶体管及显示面板可实现高的开态电流Ion，同时具有低的关态电流Ioff，能够兼顾高频和低频工作需求。
主权项：1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：栅极；有源层，位于所述栅极在第一方向上的一侧，所述第一方向垂直于所述有源层；及源极和漏极，位于所述有源层在所述第一方向上的一侧；其中，所述有源层包括沿第二方向延伸的第一有源部和沿第二方向延伸的第二有源部，所述第一有源部和所述第二有源部均与所述源极和所述漏极连接，所述第一有源部和所述第二有源部同层设置，且所述第二有源部的电阻率大于所述第一有源部的电阻率，所述第二方向为自所述源极至所述漏极的方向。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 广州华星光电半导体显示技术有限公司 薄膜晶体管及显示面板
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