龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
申请/专利权人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
申请日：2024-04-07
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN117995909B
主分类号：H01L29/786
分类号：H01L29/786;H01L29/417;H01L29/43;H01L21/28;H01L21/336;H01L21/34;H01L21/44;G09F9/30
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.21#授权;2024.05.24#实质审查的生效;2024.05.07#公开
摘要：本申请实施例公开了一种薄膜晶体管器件及其制备方法、显示面板，在薄膜晶体管器件中，无机绝缘层覆盖过孔的孔壁；有源层设置在第一电极、无机绝缘层和第二电极上；栅极绝缘层覆盖有源层；栅极设置在栅极绝缘层远离过孔的孔壁的一侧；其中，第一电极、第二电极和无机绝缘层均具有同一种导电性元素。本申请实施例采用无机绝缘层覆盖过孔的孔壁，以弥补过孔孔壁因刻蚀造成的损伤，为有源层的形成提高良好背沟道膜面，从而提高薄膜晶体管器件的性能；第一电极、第二电极和无机绝缘层均具有同一种导电性元素，可使得无机绝缘层、第一电极的至少部分、第二电极的至少部分采用同种材料经过高温氧化或氮化一次形成，节省光罩制程。
主权项：1.一种薄膜晶体管器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：在衬底上依次形成第一基底电极、层间介质层和第二基底电极；图案化所述层间介质层以形成过孔，所述过孔暴露所述第一基底电极的至少部分；在所述层间介质层上形成导电材料层，所述导电材料层包括依次相连的第一部分、第二部分和第三部分，所述第一部分覆盖所述第二基底电极，所述第二部分覆盖所述过孔的侧壁，所述第三部分覆盖裸露的所述第一基底电极；所述导电材料层厚度介于5纳米至50纳米之间；在不低于300摄氏度下氧化或氮化处理所述导电材料层，使得所述第三部分与所述第一基底电极形成第一电极、所述第二部分转变为无机绝缘层、所述第一部分与所述第二基底电极形成第二电极；在所述无机绝缘层上依次形成有源层、栅极绝缘层和栅极，所述有源层连接于所述第一电极和所述第二电极，所述栅极设置在所述栅极绝缘层远离所述过孔的孔壁的一侧。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 薄膜晶体管器件及其制备方法、显示面板
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号