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申请/专利权人：常州大学
申请日：2024-03-07
公开（公告）日：2024-06-18
公开（公告）号：CN118207593A
主分类号：C25C3/36
分类号：C25C3/36;C25C7/06
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.18#公开
摘要：本发明公开了一种在低共熔溶剂中电沉积制备Ga‑Sn合金的方法，属于电沉积技术领域。将镓源、锡源溶解于以氯化胆碱和尿素制备的低共熔溶剂中制得电解液。在电解液体系中，以0.1～3Adm‑2的电流密度进行恒电流电沉积，实验温度为50～90℃，得到Ga‑Sn合金。合金Ga含量为0～80at.%。该方法操作简单、安全可靠，可以通过一步法电沉积制备得到Ga‑Sn合金。
主权项：1.一种在低共熔溶剂中电沉积制备Ga-Sn合金的方法，其特征在于：包括如下具体步骤：在以含镓源和锡源的低共熔溶剂为电解液，以导电材料为阴极，铂网为阳极的电沉积体系中，恒电流电沉积Ga-Sn合金；所述低共熔溶剂由氯化胆碱和尿素按照摩尔比1:1～5组成；沉积电流密度范围为0.1～3Adm-2，电沉积温度范围为50℃～90℃。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 常州大学 一种在低共熔溶剂中电沉积制备Ga-Sn合金的方法
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