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申请/专利权人：拓荆科技(上海)有限公司
申请日：2024-03-29
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN118223008A
主分类号：C23C16/455
分类号：C23C16/455;C23C16/52;H01J37/32;H01L21/66
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.21#公开
摘要：本发明公开了一种匀气装置、半导体的沉积设备及其沉积方法。匀气装置包括：第一盘结构，包括第一气盘，其进气端连接顶板，第一气盘的外侧与顶板之间的间隙构成第一通道，用于传输保护气体，第一气盘的内部包括第二通道，用于传输工艺气体，工艺气体经由第一气盘的第一出气端输出至第二气盘，并经由第二气盘中的第三通道的出气端输出，而保护气体围绕在工艺气体的外圈从第一气盘的第二出气端输出；第二盘结构，位于第二气盘的出气端，其内部包括第四通道，用于传输工艺气体；以及若干个压电阀，设置于第三通道和第四通道之间，用于独立调节与各第四通道的进气口大小。本发明能够使工艺气体均匀地分布在喷淋盘的中间区域，提高了镀膜的一致性。
主权项：1.一种匀气装置，其特征在于，包括：第一盘结构，包括第一气盘，其进气端连接顶板，所述第一气盘的外侧与所述顶板之间的间隙构成第一通道，用于传输保护气体，所述第一气盘的内部包括第二通道，用于传输工艺气体，所述工艺气体经由所述第一气盘的第一出气端输出至第二气盘，并经由所述第二气盘中的第三通道的出气端输出，而所述保护气体围绕在所述工艺气体的外圈从所述第一气盘的第二出气端输出；第二盘结构，位于所述第二气盘的出气端，其内部包括第四通道，用于传输所述工艺气体；以及若干个压电阀，设置于所述第三通道和所述第四通道之间，用于独立调节与各所述第四通道的进气口大小。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 拓荆科技(上海)有限公司 一种匀气装置、半导体的沉积设备及其沉积方法
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