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申请/专利权人：微芯片技术卡尔迪科特有限公司;国家物理实验室管理有限公司
申请日：2023-03-08
公开（公告）日：2024-06-18
公开（公告）号：CN118216053A
主分类号：H01S5/42
分类号：H01S5/42;G01R33/00;G04F5/14;G01R33/26;H01S5/00;H01S5/024;H01S5/06;H01S5/062;H01S5/40
优先权：["20220308 US 63/317,869"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.18#公开
摘要：一种装置，该装置包括多波长例如，双波长竖直腔表面发射激光器VCSEL阵列，该阵列包括第一VCSEL集合和第二VCSEL集合，第一VCSEL集合包括一个或多个第一VCSEL，用于发射第一波长的第一VCSEL辐射，第二VCSEL集合包括一个或多个第二VCSEL，用于发射不同于第一波长的第二波长的第二VCSEL辐射。该装置包括上游光学器件，用于a准直由第一VCSEL集合发射的第一VCSEL辐射并b准直由第二VCSEL集合发射的第二VCSEL辐射。该装置还包括蒸汽池，用于接收经准直的第一VCSEL辐射和经准直的第二VCSEL辐射，并且根据接收到的经准直的第一VCSEL辐射和经准直的第二VCSEL辐射来提供输出光束；以及测量电路，用于分析由蒸汽池提供的输出光束。
主权项：1.一种装置，所述装置包括：多波长竖直腔表面发射激光器VCSEL阵列，包括：第一VCSEL集合，包括一个或多个第一VCSEL，用于发射第一波长的第一VCSEL辐射；和第二VCSEL集合，包括一个或多个第二VCSEL，用于发射不同于所述第一波长的第二波长的第二VCSEL辐射；上游光学器件，用于a准直由所述第一VCSEL集合发射的第一VCSEL辐射，并且b准直由所述第二VCSEL集合发射的第二VCSEL辐射；蒸汽池，用于接收经准直的第一VCSEL辐射和经准直的第二VCSEL辐射，并且根据接收到的经准直的第一VCSEL辐射和经准直的第二VCSEL辐射来提供输出光束；以及测量电路，用于分析由所述蒸汽池提供的所述输出光束。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 微芯片技术卡尔迪科特有限公司;国家物理实验室管理有限公司 包括多波长竖直腔表面发射激光器（VCSEL）阵列的装置
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