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申请/专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日：2020-06-11
公开（公告）日：2024-06-18
公开（公告）号：CN112466903B
主分类号：H10B63/00
分类号：H10B63/00;H01L29/10;H01L29/417;H01L29/423
优先权：["20190906 KR 10-2019-0111073"]
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.18#授权;2021.03.26#实质审查的生效;2021.03.09#公开
摘要：本申请公开了一种具有阻变存储层的非易失性存储器件。根据实施例的非易失性存储器件包括：衬底；源电极结构，其设置在衬底上；沟道结构，其被设置为与源电极结构的侧壁表面接触；阻变存储层，其设置在沟道结构的侧壁表面上；漏电极结构，其被设置为与阻变存储层接触；多个栅极电介质结构，其在第一方向上延伸并被设置为在第二方向上彼此间隔开；以及多个栅电极结构，其被设置为在多个栅极电介质结构中在第一方向上延伸。
主权项：1.一种非易失性存储器件，包括：衬底；源电极结构，其设置在所述衬底上，所述源电极结构包括在垂直于所述衬底的第一方向上交替层叠的多个源电极层图案和多个源极绝缘层图案，其中所述源电极结构在垂直于所述第一方向的第二方向上延伸，沟道结构，其设置在所述衬底上并被设置为与所述源电极结构的侧壁表面接触，所述源电极结构的所述侧壁表面是由所述第一方向和所述第二方向形成的平面；阻变存储层，其设置在所述衬底上的所述沟道结构的侧壁表面上，所述沟道结构的所述侧壁表面是由所述第一方向和所述第二方向形成的平面；漏电极结构，其被设置为与所述衬底上的所述阻变存储层接触，其包括在所述第一方向上交替设置的多个漏电极层图案和多个漏极绝缘层图案，其中，所述漏电极结构在所述第二方向上延伸；多个栅极电介质结构，其在所述第一方向上延伸并且被设置为在所述第二方向上彼此间隔开；以及多个栅电极结构，其被设置为在所述栅极电介质结构中在所述第一方向上延伸，其中，所述多个栅电极结构被设置为与所述多个源电极层图案和所述多个漏电极层图案在不同平面上交叉。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 爱思开海力士有限公司 具有阻变存储层的非易失性存储器件
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