申请/专利权人：三星显示有限公司

申请日：2019-01-09

公开（公告）日：2024-06-18

公开（公告）号：CN110021515B

主分类号：H01J37/32

分类号：H01J37/32

优先权：["20180109 KR 10-2018-0002803"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.06.18#授权;2021.01.08#实质审查的生效;2019.07.16#公开

摘要：提供了一种等离子体处理装置。所述等离子体处理装置包括：腔室；多个介电窗，覆盖腔室的顶部；盖框架，在同一平面上支撑所述多个介电窗；多个支撑杆，支撑盖框架的顶部；以及多个天线，位于所述多个介电窗上方，其中，所述多个天线包括位于由所述多个支撑杆限定的区域内部并具有环形形式的第一天线以及位于由所述多个支撑杆限定的区域外部并具有环形形式的第二天线，并且第一天线中的第一电流方向与第二天线中的第二电流方向彼此相同。

主权项：1.一种等离子体处理装置，所述等离子体处理装置包括：腔室；多个介电窗，覆盖所述腔室的顶部；盖框架，在同一平面上支撑所述多个介电窗；多个支撑杆，支撑所述盖框架的顶部；以及多个天线，位于所述多个介电窗上方，其中，所述多个天线包括：第一天线，位于由所述多个支撑杆限定的区域内部，并具有环形形式；第二天线，位于由所述多个支撑杆限定的所述区域外部，并具有环形形式；以及第三天线，位于所述第一天线内部，并具有环形形式，其中，所述第一天线中的第一电流方向与所述第二天线中的第二电流方向彼此相同，并且其中，所述第三天线中的第三电流方向与所述第一电流方向不同。

全文数据：等离子体处理装置本申请要求于2018年1月9日提交的第10-2018-0002803号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请出于所有目的通过引用包含于此，如同在这里完全阐述的一样。技术领域发明的示例性实施例总体上涉及一种等离子体处理装置，更具体地，涉及一种能够执行均匀的等离子体处理的等离子体处理装置。背景技术在制造液晶显示器LCD、有机发光显示器OLED等期间，通常在等离子体处理中使用等离子体处理装置来进行干蚀刻、成膜等。近年来，可以对具有大面积的目标基底同时处理多个显示装置，以降低显示装置的制造成本。此外，随着技术的进步，目标基底的尺寸已经日益增大。然而，由于等离子体处理装置的用于容纳目标基底的腔室也已变得较大，因此难以在腔室中实现均匀的特性，特性诸如内部电磁场、温度、气流等。在本背景技术部分中公开的上述信息仅用于对发明构思的背景的理解，因此，它可以包含不构成现有技术的信息。发明内容根据发明的示例性实施例构造的装置能够对具有大面积的目标基底执行均匀的等离子体处理。发明构思的其它特征将在下面的描述中进行阐述，并且部分地通过该描述将是明显的，或者可以通过发明构思的实践来获知。根据示例性实施例的等离子体处理装置包括：腔室；多个介电窗，覆盖腔室的顶部；盖框架，在同一平面上支撑所述多个介电窗；多个支撑杆，支撑盖框架的顶部；以及多个天线，位于所述多个介电窗上方，其中，所述多个天线包括位于由所述多个支撑杆限定的区域内部并具有环形形式的第一天线以及位于由所述多个支撑杆限定的区域外部并具有环形形式的第二天线，并且第一天线中的第一电流方向与第二天线中的第二电流方向彼此相同。第一电流方向和第二电流方向可以是顺时针的。第一电流方向和第二电流方向可以是逆时针的。所述多个天线还可以包括位于第一天线内部并具有环形形式的第三天线。第三天线中的第三电流方向可以与第一电流方向不同。所述多个天线还可以包括位于第二天线外部并具有环形形式的第四天线。第四天线中的第四电流方向可以与第二电流方向不同。所述等离子体处理装置还可以包括：多个排气口，位于腔室的底部处；以及多个第一注射喷嘴，在腔室的顶部处设置为与所述多个排气口竖直地相邻。所述多个第一注射喷嘴可以被分组，每组第一注射喷嘴连接到同一注射通道，并且所述多个第一注射喷嘴中的每组第一注射喷嘴可以与所述多个排气口中的每个排气口对应。所述等离子体处理装置还可以包括位于所述多个介电窗的一部分处的多个注射喷嘴。所述多个注射喷嘴可以包括多个第一注射喷嘴，所述多个第一注射喷嘴位于设置在所述多个介电窗的最外围的边缘处的多个第一介电窗处。所述多个注射喷嘴还可以包括多个第二注射喷嘴，所述多个第二注射喷嘴位于设置为与腔室的中心部分相邻的多个第二介电窗处。所述多个第一注射喷嘴可以沿所述多个第一介电窗的阵列以环形形式布置。所述多个第二注射喷嘴可以沿至少两条平行直线布置。所述等离子体处理装置还可以包括：多个排气口，位于腔室处；以及目标基底，在平面图中位于所述多个排气口内部。目标基底可以包括使用区域和非使用区域，并且与非使用区域相邻的第一排气口的开口比大于与使用区域相邻的第二排气口的开口比。第二排气口可以位于腔室的多个底部角之中的与使用区域相邻的底部角处。所述等离子体处理装置还可以包括：目标基底；以及多个冷却通道，位于腔室的底壁与目标基底之间。所述多个冷却通道可以包括内循环通道和位于内循环通道外部的外循环通道。流入内循环通道中的内冷却流体的温度可以比流入外循环通道中的外冷却流体的温度高。内循环通道的进口和外循环通道的进口可以位于内循环通道的集中区域中。外循环通道的最外部的角可以具有比外循环通道的剩余部分的平均直径大的直径。将理解的是，前面的总体描述和下面的详细描述均是示例性和解释性的并且意图提供对所要求保护的发明的进一步解释。附图说明附图被包括以提供对发明的进一步理解，并且被并入本说明书并构成本说明书的一部分，附图示出了发明的示例性实施例，并与描述一起用于解释发明构思。图1是根据示例性实施例的等离子体处理装置的图。图2是根据示例性实施例的多个天线的图。图3是根据另一示例性实施例的多个天线的图。图4是根据示例性实施例的多个注射喷嘴的图。图5是根据另一示例性实施例的多个注射喷嘴的图。图6是根据示例性实施例的多个排气口的图。图7是示出了根据示例性实施例的取决于目标基底的多个排气口的开口比的图。图8是示出了根据示例性实施例的多个冷却通道的图。图9是根据另一示例性实施例的多个冷却通道的图。具体实施方式在下面的描述中，出于解释的目的，阐述了许多具体的细节以提供对发明的各种示例性实施例或实施方式的彻底的理解。如这里所使用的“实施例”和“实施方式”是采用这里公开的一个或更多个发明构思的装置或方法的非限制性示例的可互换的词。然而，明显的是，各种示例性实施例可以在没有这些具体的细节或者在一个或更多个等同布置的情况下实施。在其它情况下，为了避免使各种示例性实施例不必要地模糊，以框图形式示出了公知的结构和装置。此外，各种示例性实施例可以不同，但是不必是互斥的。例如，在不脱离发明构思的情况下，可以在另一示例性实施例中使用或实施示例性实施例的具体形状、构造和特性。除非另有说明，否则示出的示例性实施例将被理解为提供可以在实践中实现发明构思的一些方式的不同的细节的示例性特征。因此，除非另有说明，否则在不脱离发明构思的情况下，各个实施例的特征、组件、模块、层、膜、面板、区域和或方面等在下文中，单独地或统一地称为“元件”可以另外组合、分离、互换和或重新布置。通常在附图中提供交叉影线和或阴影的使用，用于使相邻元件之间的边界清晰。如此，除非说明，否则交叉影线或阴影的存在或缺失均不表达或表示对元件的特定材料、材料性质、尺寸、比例、示出的元件之间的共性和或任何其它特性、属性、性质等的任何偏好或要求。此外，在附图中，为了清楚和或描述的目的，可以夸大元件的尺寸和相对尺寸。当示例性实施例可以不同地实施时，可以不同于所描述的顺序地执行特定的工艺顺序。例如，可以基本同时执行或者以与所描述的顺序相反的顺序执行两个连续描述的工艺。此外，同样的附图标记表示同样的元件。当元件或层被称为“在”另一元件或层“上”、“连接到”或“结合到”另一元件或层时，该元件或层可以直接在所述另一元件或层上、直接连接到或直接结合到所述另一元件或层，或者可以存在中间元件或层。然而，当元件或层被称为“直接在”另一元件或层“上”、“直接连接到”或“直接结合到”另一元件或层时，不存在中间元件或层。为此，术语“连接”可以指具有或不具有中间元件的物理连接、电连接和或流体连接。此外，D1轴、D2轴和D3轴不局限于直角坐标系的三个轴诸如，x轴、y轴和z轴，而是可以以更宽泛的意义进行解释。例如，D1轴、D2轴和D3轴可以相互垂直，或者可以表示不相互垂直的不同方向。为了本公开的目的，“X、Y和Z中的至少一个种、者”和“从由X、Y和Z组成的组中选择的至少一个种、者”可以解释为仅X、仅Y、仅Z或者X、Y和Z中的两个种、者或更多个种、者的任意组合，诸如，以XYZ、XYY、YZ和ZZ为例。如在这里使用的，术语“和或”包括一个或更多个相关所列项的任何组合和全部组合。虽然这里可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种类型的元件，但是这些元件不应受这些术语限制。这些术语用于将一个元件与另一元件区分开。因此，在不脱离公开的教导的情况下，下面讨论的第一元件可以被命名为第二元件。为了描述性的目的，可以在这里使用诸如“在……之下”、“在……下方”、“在……下面”、“下”、“在……上方”、“上”、“在……之上”、“更高”、“侧”例如，如在“侧壁”中等的空间相对术语，由此来描述如附图中示出的一个元件与另一其它元件的关系。除了附图中描绘的方位之外，空间相对术语意图包括设备在使用、操作和或制造中的不同方位。例如，如果附图中的设备被翻转，则被描述为“在”其它元件或特征“下方”或“之下”的元件或特征随后将被定位为“在”所述其它元件或特征“上方”。因此，示例性术语“在……下方”可以包括上方和下方两种方位。此外，设备可以被另外定位例如，旋转90度或者在其它方位处，如此，相应地解释这里使用的空间相对描述语。这里使用的术语是出于描述特定实施例的目的，而不意图进行限制。如这里所使用的，除非上下文另外清楚地指出，否则单数形式“一个种者”和“所述该”也意图包括复数形式。此外，当在本说明书中使用术语“包含”和或“包括”以及它们的变型时，说明存在所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件、组件和或它们的组，但不排除存在或附加一个或更多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和或它们的组。还要注意的是，如这里使用的，术语“基本上”、“大约”以及其它类似的术语被用作近似的术语而不是用作程度的术语，如此，它们被用来解释将由本领域普通技术人员认识到的测量值、计算值和或提供的值的固有偏差。在下文中，参照附图详细地描述示例性实施例，使得本领域技术人员可以容易地实践本公开。本公开可以以各种不同的形式来实现，而不限于本说明书中描述的示例性实施例。为了清楚地描述本公开，将省略与描述无关的部分，并且在整个说明书中相同或相似的组成元件将由相同的附图标记来指定。因此，可以在不同的附图中使用相同的附图标记以标识相同或相似的元件。此外，为了更好地理解和易于描述，任意地示出了附图中示出的每个组件的尺寸和厚度，但本公开不限于此。为了清楚地表达，夸大了若干部分和区域的厚度。图1是根据示例性实施例的等离子体处理装置的图。参照图1，根据示例性实施例的等离子体处理装置1包括控制器2、处理气体供应器3、第一电源4、第二电源5、冷却流体供应器6、多个天线110、120和130、多个介电窗dielectricwindow311、312、313和314、盖框架400、多个支撑杆210和220、静电卡盘electrostaticchuck620、底电极610、多个排气口P21和P23以及多个排气泵PM21和PM23。目标基底SUB可以根据处理状态而位于等离子体处理装置1或腔室的静电卡盘620上。如这里所使用的，腔室可以指由底壁BW、侧壁SW和多个介电窗311、312、313和314形成的空间。多个介电窗311、312、313和314覆盖腔室的顶部。介电窗311、312、313和314可以包括用于传递从天线110、120和130产生的电磁场的介电材料。介电材料可以包括陶瓷等。等离子体处理装置1的底壁BW和侧壁SW可以包括导体，使得电磁场不会传递到外部。更具体地，底壁BW和侧壁SW可以具有涂覆有涂膜的导体结构，该涂膜是绝缘体。例如，底壁BW和侧壁SW可以包括涂覆有包括氧化铝Al2O3的涂膜的铝Al。当腔室的上壁形成为单个大的介电窗时，这样的上壁会由于它的重量和或材料限制而是不合适的。因此，根据示例性实施例的腔室的上壁可以包括由盖框架400支撑的介电窗311、312、313和314。盖框架400可以在同一平面上支撑介电窗311、312、313和314。例如，盖框架400可以包括涂覆有包括氧化铝Al2O3的涂膜的铝Al。此外，盖框架400可以包括轻质且刚性的材料。支撑杆210和220支撑盖框架400的顶部。虽然盖框架400在同一平面上支撑介电窗311、312、313和314，但存在介电窗311、312、313和314的中心部分会由于其重量而坍塌的风险。因此，支撑杆210和220可以通过连接盖框架400的顶部和等离子体处理装置1的顶壁而沿向上的方向支撑盖框架400以及介电窗311、312、313和314。天线110、120和130位于介电窗311、312、313和314上方。在控制器2的控制下，天线110、120和130可以产生与从第一电源4供应的电力相对应的电磁场。下面将参照图2和图3更详细地描述天线110、120和130。根据示例性实施例，介电窗311、312、313和314可以包括多个注射喷嘴见图4。通过控制器2来控制处理气体供应器3，以向目标注射喷嘴供应处理气体。静电卡盘620可以使用供应的DC电压对目标基底SUB充电，并且使用充入的电势来固定目标基底SUB。在控制器2的控制下，底电极610可以供应有来自第二电源5的偏置电力以形成自偏压。因此，腔室中的等离子体离子可以有效地引入目标基底SUB中。多个冷却通道可以形成在底电极610处或者与底电极610相邻。在图1中，示出了冷却通道的进口IN1、IN2、IN3和IN4。在控制器2的控制下，冷却流体供应器6可以向冷却通道的进口IN1、IN2、IN3和IN4供应液态或气态的冷却流体。下面将参照图8和图9详细地描述冷却通道。排气口P21和P23可以位于腔室的底部处。例如，排气口P21和P23可以位于与侧壁SW相邻的底壁BW处。也就是说，排气口P21和P23可以位于腔室的底部边缘处，以使用于容纳目标基底SUB的空间最大化。此外，排气泵PM21和PM23可以分别位于排气口P21和P23下面。可以通过控制器2分别控制排气泵PM21和PM23以调节对应的排气口P21和P23的开口比。如此，控制器2可以分别通过排气口P21和排气泵PM21以及排气口P23和排气泵PM23控制腔室中的气流，或者维持腔室中的真空气氛。相对于第一平面方向X和竖直方向Z示出了在图1中示出的等离子体处理装置1的剖视图。然而，图1的沿着I-I’截取的剖视图意图帮助理解等离子体处理装置1，因此，下面描述的层的剖视图可以彼此不一致。在下面描述的图2至图9中，基于第一平面方向X和与第一平面方向X垂直的第二平面方向Y示出了平面图。上部和下部指第二平面方向Y，顶部和底部指竖直方向Z。图2是根据示例性实施例的多个天线的图。参照图2，天线110、120和130以及支撑杆210、220、230和240形成在根据示例性实施例的等离子体处理装置中。第一天线110可以位于介电窗311、312、313和314上方，并具有环形形式。例如，第一天线110可以位于由作为角的支撑杆210、220、230和240限定的区域内部。第二天线120可以被设置在介电窗311、312、313和314上方以使支撑杆210、220、230和240插入第一天线110和第二天线120之间，并可以具有环形形式。例如，第二天线120可以位于由作为角的支撑杆210、220、230和240限定的区域外部。如上所述，支撑杆210、220、230和240被设置为防止介电窗311、312、313和314以及盖框架400的坍塌。然而，由于支撑杆210、220、230和240以及天线110、120和130设置在同一平面上，因此无效区域会形成在不能形成天线的区域中。如这里所使用的，无效区域可以指以最短距离连接支撑杆210、220、230和240的区域。第一电源4可以引起电流在天线110、120和130处流动，以通过介电窗311、312、313和314向腔室供应电磁场以形成等离子体。然而，由于天线不能位于无效区域中，所以会存在电磁场比其它区域的电磁场弱的一些区域。此外，当支撑杆210、220、230和240包括导体时，支撑杆210、220、230和240会阻挡附近的电磁场。根据示例性实施例，第一天线110中的第一电流方向I1和第二天线120中的第二电流方向I2形成为彼此相同。如这里所使用的，电流方向可以指流入对应的天线的电流的方向。以这种方式，由第一天线110和第二天线120产生的电磁场可以彼此共振，从而可以加强形成有支撑杆210、220、230和240的无效区域中的电磁场。在图2中，第一电流方向I1和第二电流方向I2中的全部以逆时针方向形成。然而，在其它示例性实施例中，第一电流方向I1和第二电流方向I2中的全部可以呈顺时针方向。第三天线130可以在介电窗311、312、313和314上方位于第一天线110内部，并且可以具有环形形式。第三天线130中的第三电流方向I3可以与第一电流方向I1不同。如图2中所示，第三电流方向I3为顺时针的。由于在第一天线110与第三天线130之间没有支撑杆，所以在第一天线110与第三天线130之间可以不需要上述的共振。因此，第三天线130和第一天线110可以为了有效电磁场分布而具有不同的电流方向。虽然天线110、120和130中的每个具有如图2中示出的具有成角度的角的环形形式，但发明构思不限于此。例如，根据其它示例性实施例，天线110、120和130可以形成为具有基本上没有角的圆形形状的环。为了易于解释各个天线110、120和130的电流方向，简化了图2中示出的天线110、120和130的形式。然而，考虑到腔室中电磁场的分布，天线还可以包括从天线110、120和130延伸的分支天线。此外，天线110、120和130中的每个可以具有多个环的形式。因此，天线110、120和130中的至少一些部分可以不具有图2中示出的电流方向，但总体上可以具有如图2中示出的电流方向。上面的描述也可以可适用于下面将描述的其它示例性实施例的天线。图3是根据另一示例性实施例的多个天线的图。参照图3，多个天线110、120、130和140以及支撑杆210、220、230和240可以形成在根据示例性实施例的等离子体处理装置中。图3中示出的等离子体处理装置与图2的等离子体处理装置的不同之处在于，其中还形成有第四天线140。第四天线140可以在介电窗311、312、313和314上方位于第二天线120外部，并且可以具有环形形式。第四天线140中的第四电流方向I4可以不同于第二电流方向I2。如图3中所示，第四电流方向I4为顺时针的。由于在第四天线140与第二天线120之间没有支撑杆，所以在第四天线140与第二天线120之间可以不需要上述的共振。因此，第四天线140和第二天线120可以为了有效电磁场分布而具有不同的电流方向。图4是根据示例性实施例的多个注射喷嘴的图。在控制器2的控制下，注射喷嘴可以将处理气体从处理气体供应器3供应到腔室。参照图4，盖框架400、支撑杆210、220、230和240、多个介电窗311、312、313、314、321、322、323、324、331、332、333、334、341、342、343和344以及多个注射喷嘴510和530可以形成在根据示例性实施例的等离子体处理装置中。根据示例性实施例的等离子体处理装置可以具有位于盖框架400处的多个第三注射喷嘴530。根据示出的示例性实施例的等离子体处理装置可以具有位于多个第一介电窗311、312、313、314、321、324、331、334、341、342、343和344处的多个第一注射喷嘴510，所述多个第一注射喷嘴510位于介电窗311、312、313、314、321、322、323、324、331、332、333、334、341、342、343和344的最外围的边缘处。第一注射喷嘴510可以沿第一介电窗311、312、313、314、321、324、331、334、341、342、343和344的阵列以环形形式布置。如上所述，排气口P21和P23可以设置在腔室的底部边缘处，以使用于容纳目标基底SUB的空间最大化。因此，腔室内的气流可以在腔室的定位有排气口P21和P23的底部边缘处最快。根据示例性实施例的第一注射喷嘴510可以在腔室的顶部处设置为与排气口P21和P23竖直地相邻。因此，第一注射喷嘴510可以通过增大腔室的边缘部分处每次的处理气体的注射量来减小腔室的中心部分与边缘部分之间的气体流速差异。根据示例性实施例，第一注射喷嘴510被分组，并且每组连接到同一注射通道。此外，第一注射喷嘴510中的每组第一注射喷嘴510与排气口P21和P23的位置对应。此外，在下面的描述中，第三注射喷嘴530还可以被添加到每组。例如，参照图4和图6，位于最靠近排气口P11的第一介电窗311处的第一注射喷嘴510和位于盖框架400的支撑第一介电窗311的部分例如，盖框架400的设置在第一介电窗311与312之间的部分，以及盖框架400的设置在第一介电窗311与321之间的部分处的第三注射喷嘴530可以连接到同一注射通道，从而可以根据排气口P11的开口比来调节处理气体的注射量。例如，当排气口P11的开口比增大时，处理气体注射量也可以增大，并且当排气口P11的开口比减小时，处理气体注射量也可以减小。此外，位于最靠近排气口P12的第一介电窗312和313处的第一注射喷嘴510和位于盖框架400的位于第一介电窗312与313之间的部分处的第三注射喷嘴530可以连接到同一注射通道，从而可以根据排气口P12的开口比来调节处理气体的注射量。例如，当排气口P12的开口比增大时，处理气体注射量也可以增大，并且当排气口P12的开口比减小时，处理气体注射量也可以减小。此外，位于最靠近排气口P13的第一介电窗314处的第一注射喷嘴510和位于盖框架400的支撑第一介电窗314的部分例如，盖框架400的设置在第一介电窗313与314之间的部分以及盖框架400的设置在第一介电窗314与324之间的部分处的第三注射喷嘴530可以连接到同一注射通道，从而可以根据排气口P13的开口比来调节处理气体的注射量。例如，当排气口P13的开口比增大时，处理气体注射量也可以增大，并且当排气口P13的开口比减小时，处理气体注射量也可以减小。此外，位于最靠近排气口P23的第一介电窗324和334处的第一注射喷嘴510和位于盖框架400的位于第一介电窗324与334之间的部分处的第三注射喷嘴530可以连接到同一注射通道，从而可以根据排气口P23的开口比来调节处理气体的注射量。例如，当排气口P23的开口比增大时，处理气体注射量也可以增大，并且当排气口P23的开口比减小时，处理气体注射量也可以减小。此外，位于最靠近排气口P33的第一介电窗344处的第一注射喷嘴510和位于盖框架400的支撑第一介电窗344的部分例如，盖框架400的设置在第一介电窗334与344之间的部分以及盖框架400的设置在第一介电窗344与343之间的部分处的第三注射喷嘴530可以连接到同一注射通道，从而可以根据排气口P33的开口比来调节处理气体的注射量。例如，当排气口P33的开口比增大时，处理气体注射量也可以增大，并且当排气口P33的开口比减小时，处理气体注射量也可以减小。此外，位于最靠近排气口P32的第一介电窗342和343处的第一注射喷嘴510和位于盖框架400的位于第一介电窗342与343之间的部分处的第三注射喷嘴530可以连接到同一注射通道，从而可以根据排气口P32的开口比来调节处理气体的注射量。例如，当排气口P32的开口比增大时，处理气体注射量也可以增大，并且当排气口P32的开口比减小时，处理气体注射量也可以减小。此外，位于最靠近排气口P31的第一介电窗341处的第一注射喷嘴510和位于盖框架400的支撑第一介电窗341的部分例如，盖框架400的设置在第一介电窗342与341之间的部分以及盖框架400的设置在第一介电窗341与331之间的部分处的第三注射喷嘴530可以连接到同一注射通道，从而可以根据排气口P31的开口比来调节处理气体的注射量。例如，当排气口P31的开口比增大时，处理气体注射量也可以增大，并且当排气口P31的开口比减小时，处理气体注射量也可以减小。此外，位于最靠近排气口P21的第一介电窗321和331处的第一注射喷嘴510和位于盖框架400的位于第一介电窗321与331之间的部分处的第三注射喷嘴530可以连接到同一注射通道，从而可以根据排气口P21的开口比来调节处理气体的注射量。例如，当排气口P21的开口比增大时，处理气体注射量也可以增大，并且当排气口P21的开口比减小时，处理气体注射量也可以减小。例如，位于盖框架400的支撑介电窗322、323、332和333的部分处的剩余的第三注射喷嘴530可以连接到同一注射通道。对于另一示例，位于盖框架400的支撑介电窗322、323、332和333的部分处的剩余的第三注射喷嘴530可以根据距盖框架400的中心的距离进行分组，并且每组可以连接到各自的注射通道。根据上面的示例性实施例，每个注射通道的处理气体注射量可以与排气口P11、P12、P13、P21、P23、P31、P32和P33的各个开口比对应，从而可以更有效地减轻气体流速的差异。图5是根据另一示例性实施例的多个注射喷嘴的图。参照图5，盖框架400、支撑杆210、220、230和240、多个介电窗311、312、313、314、321、322’、323’、324、331、332’、333’、334、341、342、343和344以及多个注射喷嘴510、520和530可以形成在根据示例性实施例的等离子体处理装置中。与图4中的等离子体处理装置相比，图5的等离子体处理装置还包括多个第二注射喷嘴520。第二注射喷嘴520可以位于围绕中心部分设置的多个第二介电窗322’、323’、332’和333’处，所述中心部分可以指介电窗311、312、313、314、321、322’、323’、324、331、332’、333’、334、341、342、343和344之中的中心部分，或者可以指盖框架400的中心部分。第二注射喷嘴520可以沿至少两条平行的直线布置，并且可以形成在第二介电窗322’、323’、332’和333’上。例如，如图5中所示，第二注射喷嘴520可以沿第一平面方向X布置。根据示例性实施例，第二注射喷嘴520可以调节中心部分中的处理气体注射速度，中心部分由于没有排气口而具有较慢的气体流速。以这种方式，可以减轻腔室的区域中的气体流速的差异。沿第一平面方向X设置的第二注射喷嘴520可以被分组为连接到同一注射通道，从而可以有效地改善气流分布。例如，位于第二介电窗322’和323’处的第二注射喷嘴520可以成组，并且连接到同一注射通道，位于第二介电窗332’和333’处的第二注射喷嘴520可以成组，并且连接到同一注射通道。图6是根据示例性实施例的多个排气口的图。参照图6，多个排气口P11、P12、P13、P21、P23、P31、P32和P33可以位于腔室中的底壁BW处。取决于等离子体处理装置的处理状态，目标基底SUB可以在平面图中位于排气口P11、P12、P13、P21、P23、P31、P32和P33内部。排气口P11、P13、P31和P33可以位于腔室的底部的角处，排气口P12、P23、P32和P21可以位于腔室的底部的角之间。图7是示出了根据示例性实施例的取决于目标基底的多个排气口的开口比的图。参照图7，目标基底SUB可以包括使用区域SUB1、SUB2和SUB3以及非使用区域NUA。在排气口P11、P12、P13、P21、P23、P31、P32和P33之中，与非使用区域NUA相邻的第一排气口的开口比可以大于与使用区域SUB1、SUB2和SUB3相邻的第二排气口的开口比。因此，使用区域SUB1、SUB2和SUB3中的气流分布可以是相对均匀的，并且可以对非使用区域NUA中的气体流速进行加速以执行排气过程。虽然非使用区域NUA中的气流分布会变得不均匀，但是由于在非使用区域NUA中没有形成显示装置，因此可以忽略这种不均匀的气流分布。根据示例性实施例，与非使用区域NUA相邻的第一排气口可以是排气口P11、P12和P13。此外，与使用区域SUB1、SUB2和SUB3相邻的第二排气口可以是排气口P21、P23、P31、P32和P33。根据另一示例性实施例，当第二排气口之中位于腔室的底部角处的排气口P31和P33的开口比设定为0关闭时，可以实现改善的气流分布和排气速率。也就是说，第二排气口P31和P33可以位于腔室的底部角之中的与使用区域SUB1、SUB2和SUB3相邻的底部角处。图8是根据示例性实施例的多个冷却通道的图。根据示例性实施例，多个冷却通道可以位于腔室的底壁BW与目标基底SUB之间。在图1和图8中，冷却通道被示出为位于底电极610处，但发明构思不限于此，冷却通道可以形成在除了底电极610之外的不同元件或层处。冷却通道可以包括内循环通道和位于内循环通道外部的外循环通道。更具体地，参照图8，外循环通道可以包括：第一外循环通道CC1，具有第一进口IN1和第一出口OUT1；以及第二外循环通道CC2，具有第二进口IN2和第二出口OUT2。第一外循环通道CC1可以冷却上部，第二外循环通道CC2可以冷却下部。内循环通道可以包括：第一内循环通道CC3，具有第三进口IN3和第三出口OUT3；以及第二内循环通道CC4，具有第四进口IN4和第四出口OUT4。第一内循环通道CC3可以冷却下部，第二内循环通道CC4可以冷却上部。根据示例性实施例，流入内循环通道CC3和CC4中的内冷却流体的温度可以比流入外循环通道CC1和CC2中的外冷却流体的温度高。冷却流体可以是液体或气体。冷却流体的温度配置可以与冷却通道的密度相关。根据示例性实施例，冷却通道可以集中在中心部分。此外，根据示例性实施例，第一内循环通道CC3的第三进口IN3与第一外循环通道CC1的第一进口IN1以及第二内循环通道CC4的第四进口IN4与第二外循环通道CC2的第二进口IN2可以在位于第一内循环通道CC3和第二内循环通道CC4的集中区域中的同时设置为彼此相邻。因此，中心部分的温度可以低于外部的温度。在示出的示例性实施例中，为了减小温度偏差，流入内循环通道CC3和CC4的内冷却流体的温度可以比流入外循环通道CC1和CC2的外冷却流体的温度高。图9是根据另一示例性实施例的多个冷却通道的图。在图9中，冷却通道被示出为位于根据示例性实施例的底电极610’处。参照图9，不同于图8中示出的冷却通道，外循环通道CC1和CC2的最外部的角E11、E12、E21和E22具有比外循环通道CC1和CC2的其它部分的平均直径大的直径。外循环通道CC1和CC2的最外部的角E11、E12、E21和E22是在腔室的内部具有角形形状时具有最高温度的部分。因此，根据示出的实施例，可以有效地增强最外部的角E11、E12、E21和E22的冷却功能。根据示例性实施例，等离子体处理装置可以对具有大面积的目标基底提供均匀的等离子体处理。虽然这里已经描述了某些示例性实施例和实施方式，但是通过该描述，其它实施例和修改将是明显的。因此，发明构思不限于这些实施例，而是限于如对于本领域普通技术人员而言将明显的所附权利要求以及各种明显的修改和等同布置的更宽的范围。

权利要求：1.一种等离子体处理装置，所述等离子体处理装置包括：腔室；多个介电窗，覆盖所述腔室的顶部；盖框架，在同一平面上支撑所述多个介电窗；多个支撑杆，支撑所述盖框架的顶部；以及多个天线，位于所述多个介电窗上方，其中，所述多个天线包括：第一天线，位于由所述多个支撑杆限定的区域内部，并具有环形形式；以及第二天线，位于由所述多个支撑杆限定的所述区域外部，并具有环形形式，并且其中，所述第一天线中的第一电流方向与所述第二天线中的第二电流方向彼此相同。2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其中，所述多个天线还包括位于所述第一天线内部并具有环形形式的第三天线，并且其中，所述第三天线中的第三电流方向与所述第一电流方向不同。3.根据权利要求2所述的等离子体处理装置，其中，所述多个天线还包括位于所述第二天线外部并具有环形形式的第四天线，并且其中，所述第四天线中的第四电流方向与所述第二电流方向不同。4.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，所述等离子体处理装置还包括：多个排气口，位于所述腔室的底部处；以及多个第一注射喷嘴，在所述腔室的所述顶部处设置为与所述多个排气口竖直地相邻，其中：所述多个第一注射喷嘴被分组，每组第一注射喷嘴连接到同一注射通道，并且所述多个第一注射喷嘴中的每组第一注射喷嘴与所述多个排气口中的相应排气口对应。5.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，所述等离子体处理装置还包括位于所述多个介电窗的一部分处的多个注射喷嘴，其中，所述多个注射喷嘴包括多个第一注射喷嘴，所述多个第一注射喷嘴位于设置在所述多个介电窗的最外围的边缘处的多个第一介电窗处，并且其中，所述多个注射喷嘴还包括多个第二注射喷嘴，所述多个第二注射喷嘴位于设置为与所述腔室的中心部分相邻的多个第二介电窗处。6.根据权利要求5所述的等离子体处理装置，其中，所述多个第一注射喷嘴沿所述多个第一介电窗的阵列以环形形式布置，并且其中，所述多个第二注射喷嘴沿至少两条平行直线布置。7.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，所述等离子体处理装置还包括：多个排气口，位于所述腔室处；以及目标基底，在平面图中位于所述多个排气口内部，其中：所述目标基底包括使用区域和非使用区域，并且与所述非使用区域相邻的第一排气口的开口比大于与所述使用区域相邻的第二排气口的开口比。8.根据权利要求7所述的等离子体处理装置，其中，所述第二排气口位于所述腔室的多个底部角之中的与所述使用区域相邻的底部角处。9.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，所述等离子体处理装置还包括：目标基底；以及多个冷却通道，位于所述腔室的底壁与所述目标基底之间，其中，所述多个冷却通道包括：内循环通道；以及外循环通道，位于所述内循环通道外部，并且其中，流入所述内循环通道中的内冷却流体的温度比流入所述外循环通道中的外冷却流体的温度高。10.根据权利要求9所述的等离子体处理装置，其中，所述内循环通道的进口和所述外循环通道的进口位于所述内循环通道的集中区域中，并且其中，所述外循环通道的最外部的角具有比所述外循环通道的剩余部分的平均直径大的直径。

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