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申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
摘要：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，所述基底包括衬底和位于所述衬底上的图形定义层；对所述图形定义层的多个位置同时进行掺杂离子，或者依次对所述图形定义层的多个位置进行掺杂离子，形成金属阻断层，所述金属阻断层的刻蚀难度大于所述图形定义层的刻蚀难度；去除未掺杂离子的所述图形定义层；以所述金属阻断层为掩膜刻蚀所述衬底，在所述衬底中形成多个衬底凹槽以及位于衬底凹槽之间的衬底隔层。后续制程中，在所述衬底凹槽中填充导电材料，所述衬底隔层使得各个衬底凹槽中导电材料不易相接触，实现了器件的隔离，优化了半导体结构的电学性能。
主权项：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括衬底和覆盖于所述衬底上的图形定义层，在所述衬底和图形定义层之间形成衬底掩膜材料层；对覆盖于所述衬底上的图形定义层的多个位置同时进行掺杂离子，或者依次对覆盖于所述衬底上的所述图形定义层的多个位置进行掺杂离子，形成位于所述图形定义层中的多个金属阻断层，使所述金属阻断层位于相邻未掺杂离子的图形定义层之间，且与相邻未掺杂离子的图形定义层相接触，所述金属阻断层的刻蚀难度大于所述图形定义层的刻蚀难度；去除未掺杂离子的所述图形定义层；去除所述图形定义层后，刻蚀所述衬底形成衬底凹槽前，形成覆盖所述金属阻断层和衬底掩膜材料层的第二底部抗反射层，所述第二底部抗反射层沿垂直金属阻断层延伸方向上露出部分金属隔断层，以第二底部抗反射层和金属阻断层为掩膜图形化衬底掩膜材料层，形成衬底掩膜层，所述金属阻断层位于部分所述衬底掩膜层上；以所述衬底掩膜层和金属阻断层为掩膜刻蚀所述衬底，在所述衬底中衬底掩膜层和金属阻断层露出的衬底位置处形成多个衬底凹槽，以及在衬底掩膜层和金属阻断层覆盖的衬底位置处形成位于衬底凹槽之间的衬底隔层。
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