首页 专利交易 科技果 科技人才 科技服务 国际服务 商标交易 会员权益 IP管家助手 需求市场 关于龙图腾
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索

一种高性能低成本DFB激光器外延片及其制造方法 

买专利卖专利找龙图腾,真高效! 查专利查商标用IPTOP,全免费!专利年费监控用IP管家,真方便!

申请/专利权人:全磊光电股份有限公司

摘要:一种高性能低成本DFB激光器外延片,包括自下而上依次层叠设置的衬底、下缓冲层、下限制层、下波导层、量子阱、上波导层、上限制层、上缓冲层、腐蚀阻挡层、包层、光栅制作层、二次外延层、势垒渐变层和欧姆接触层;所述光栅制作层分为光栅区和非光栅区。本发明提出了一种高性能低成本DFB激光器外延片及其制造方法,可以有效抑制激光器的空间烧孔效应,提升DFB激光器的边模抑制比,优化其光谱模式,降低了光栅光刻版的制作要求,提高了DFB激光器的产品良率,制造成本低。

主权项:1.一种高性能低成本DFB激光器外延片,其特征在于:包括自下而上依次层叠设置的衬底01、下缓冲层02、下限制层03、下波导层04、量子阱05、上波导层06、上限制层07、上缓冲层08、腐蚀阻挡层09、包层10、光栅制作层11、二次外延层14、势垒渐变层和欧姆接触层17;所述光栅制作层11分为光栅区和非光栅区;所述光栅制作层11制作时,先在光刻版后距离为d^2λ处进行曝光,再移动到距离为2d^2λ处进行曝光;所述高性能低成本DFB激光器外延片的制造方法,包括以下步骤:步骤一:把InP衬底01放入到MOCVD设备中,进行第一次外延生长;在所述衬底01的上表面依次生长下缓冲层02、下限制层03、下波导层04、量子阱05、上波导层06、上限制层07、上缓冲层08、腐蚀阻挡层09、包层10、光栅制作层11;第一次外延生长到所述光栅制作层11的Cap层;步骤二:取出上述外延片,在第一次外延表面形成光刻胶掩膜层12;步骤三:对上述外延片利用Talbot效应进行二次曝光、显影,形成非对称光栅结构;步骤四:对上述外延片进行蚀刻,将光刻胶上的图形转移到外延片上;步骤五:去除光刻胶掩膜,得到带有光栅结构的一次外延片;步骤六:把制作完光栅的一次外延片再次放入到MOCVD设备中进行二次外延生长;在所述光栅制作层11的上表面依次生长二次外延层14、第一势垒渐变层15、第二势垒渐变层16和欧姆接触层17,即形成完整的DFB外延结构;在步骤三中,光栅曝光的光源为短波单色紫外光源,波长200~280nm,将外延片水平放置在光刻版下方d^2λ距离处曝光10s,再将外延片向下移动,水平放置在2d^2λ位置处曝光10s,d为均匀光栅的光栅周期,λ为紫外光源的波长,总曝光时间为20s;在步骤二中,先在外延片表面旋涂光刻胶掩膜,进行匀胶处理、烘烤;选取碱性显影,常温显影10~12s,在外延片表面形成与光刻版12周期的光刻胶掩膜。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 全磊光电股份有限公司 一种高性能低成本DFB激光器外延片及其制造方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。