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申请/专利权人：朗姆研究公司
申请日：2019-06-14
公开（公告）日：2024-06-18
公开（公告）号：CN112543989B
主分类号：H01J37/32
分类号：H01J37/32;H01L21/3065
优先权：["20180618 US 16/011,442"]
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.18#授权;2021.07.09#实质审查的生效;2021.03.23#公开
摘要：描述了主动控制径向蚀刻均匀度的系统和方法。所述方法包含产生具有基频的射频RF信号以及产生具有谐波频率的另一RF信号。控制该另一RF信号的谐波频率、或相位、或参数水平、或其组合以控制等离子体室内的RF等离子体鞘的谐波，从而实现径向蚀刻均匀度。
主权项：1.一种用于控制径向蚀刻均匀度的方法，其包含：产生具有基频与第一相位的第一射频RF信号；分别基于所述基频与所述第一相位产生具有n-1次谐波频率与第二相位的第二RF信号，其中n为大于2的整数；分别基于所述基频与所述第一相位产生具有n次谐波频率与第三相位的第三RF信号；通过RF匹配装置接收所述第一、所述第二、以及所述第三RF信号，其中所述第一RF信号用于在所述RF匹配装置内输出第一经修改的信号，所述第二RF信号用于在所述射频匹配装置内输出第二经修改的信号，且所述第三RF信号用于在所述射频匹配装置内输出第三经修改的信号；在所述RF匹配装置内组合所述第一经修改的信号、所述第二经修改的信号和所述第三经修改的信号以输出组合RF信号，其中所述组合RF信号基于所述基频和所述第一相位、所述n-1次谐波频率和所述第二相位、以及所述n次谐波频率与所述第三相位而输出；通过所述RF匹配装置将所述组合RF信号提供至等离子体室的电极以在蚀刻操作期间控制在衬底的表面各处的所述径向蚀刻均匀度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 朗姆研究公司 对径向蚀刻均匀度的主动控制
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