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申请/专利权人：华中科技大学;湖北光谷实验室
申请日：2024-03-19
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN118231543A
主分类号：H01L33/20
分类号：H01L33/20;H01L33/50;H01L33/48;H01L25/16
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.21#公开
摘要：本发明涉及一种蓝光MicroLED芯片高效全彩化的方法，属于半导体发光技术领域。将蓝光MicroLED芯片与驱动IC进行倒装键合；剥离键合后的蓝光MicroLED芯片的蓝宝石衬底；在衬底剥离后暴露出来的n‑GaN层运用电化学腐蚀的方法制备纳米多孔；将量子点光刻胶图形化至所述纳米多孔层上从而实现蓝光MicroLED芯片的高效全彩化。采用电化学腐蚀法制备纳米多孔层具有多孔孔径、密度、深度可调节的优点。纳米多孔层不仅可以提高蓝光MicroLED芯片的蓝光出光率，而且加载量子点后的多孔层可以提高量子点的色转换效率，从而实现蓝光MicroLED芯片的高效全彩化显示。
主权项：1.一种蓝光MicroLED全彩化的方法，其特征在于，包括以下步骤：1将蓝光MicroLED芯片与驱动IC芯片进行倒装键合；所述蓝光MicroLED芯片包括自下而上衬底、u-GaN层、n-GaN层、量子阱层和p-GaN层；所述驱动IC芯片用于控制蓝光MicroLED芯片像素的亮灭，然后在键合界面用填充剂进行填充；2将所述蓝光MicroLED芯片的衬底剥离并刻蚀掉u-GaN层以暴露出n-GaN层，通过电化学腐蚀的方法在所述暴露的n-GaN层上制备纳米多孔，得到具有纳米多孔n-GaN层的MicroLED芯片；3按照蓝光MicroLED芯片中红绿蓝像素的分布，将红色量子点光刻胶和绿色量子点光刻胶分别图形化至步骤2得到的具有纳米多孔n-GaN层的MicroLED芯片中，以实现蓝光MicroLED芯片的全彩化。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华中科技大学;湖北光谷实验室 一种蓝光Micro LED芯片高效全彩化的方法
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