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申请/专利权人：江苏穿越光电科技有限公司
申请日：2022-01-14
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN114497325B
主分类号：H01L33/50
分类号：H01L33/50;H01L33/20;H01L33/44;H01L33/00;B82Y40/00
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.25#授权;2023.10.17#专利申请权的转移;2022.05.31#实质审查的生效;2022.05.13#公开
摘要：本发明公开了一种嵌入量子点的全彩Micro‑LED显示芯片及其制备方法。本发明在n型半导体层制备特殊的纳米孔图形阵列，分别在红光Micro‑LED芯片和绿光Micro‑LED芯片的纳米孔图形阵列中注入红色和绿色量子点，提高量子点的色转换效率和芯片的光提取效率。本发明在Micro‑LED芯片表面制备了一种复合介质层。采用ALD技术沉积一层薄的第一介质层，采用PECVD技术沉积一层厚的第二介质层，并且第一介质层和第二介质层的折射率不同，在降低芯片制备成本的同时，有效降低了芯片的非辐射复合几率和漏电流，提高了芯片的光提取效率。
主权项：1.一种嵌入量子点的全彩Micro-LED显示芯片，其特征在于，包括驱动面板、键合在驱动面板上且阵列排布的若干RGB像素单元；每一RGB像素单元包括三个薄膜倒装Micro-LED芯片，分别发射红光、绿光、蓝光；所述薄膜倒装Micro-LED芯片的n型半导体层表面制备有纳米孔图形阵列；在红光和绿光薄膜倒装Micro-LED芯片的纳米孔图形阵列中分别注入红色量子点和绿色量子点；在所述薄膜倒装Micro-LED芯片表面制备有复合介质层；所述复合介质层包括第一介质层和第二介质层；所述第一介质层的制备采用ALD技术，其厚度为1-3nm；所述第二介质层的制备采用PECVD技术，其厚度为5-10nm；第一介质层和第二介质层的折射率不同。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 江苏穿越光电科技有限公司 嵌入量子点的全彩Micro-LED显示芯片及其制备方法
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