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申请/专利权人：华中科技大学;湖北光谷实验室
申请日：2024-03-19
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN118231554A
主分类号：H01L33/58
分类号：H01L33/58;H01L33/60;H01L33/48;H01L25/075
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.21#公开
摘要：本发明涉及一种具有防光学串扰硅墙的微发光元件及制备方法，属于半导体技术领域。本发明通过叠片刻蚀得到硅基硅墙，再将硅基硅墙与光源阵列键合，硅材料对可见光并不是完全吸收，因此光源侧壁光能可以得到有效利用；另外硅墙侧壁镀制金属反射膜，进一步提高对光源所发出光能的利用率；且光源上表面发光导致的串扰也可以得到有效抑制。
主权项：1.一种具有防光学串扰硅墙的微发光元件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1将待刻蚀硅片S1进行匀胶，选择光敏光刻胶作为掩膜胶，将匀胶后的待刻蚀硅片S1置于掩膜式光刻机上进行光刻；2将作为托片的硅片S2进行匀胶，然后将待刻蚀硅片S1和作为托片的硅片S2进行对准贴合，然后抽真空，完成对待刻蚀硅片S1与作为托片的硅片S2的叠片，得到合片；3将步骤2得到的合片中的待刻蚀硅片S1进行深硅刻蚀形成通孔，待刻蚀硅片S1刻蚀后即得到硅墙；然后在所述硅墙表面镀制金属反射膜，镀膜完成后将硅墙与托片进行分离；或者先将硅墙与托片进行分离，分离后在所述硅墙表面镀制金属反射膜；4在微发光元件的光源间隔处填充粘合胶，将步骤3得到的硅墙与微发光元件的光源阵列进行对准贴合，再进行键合，以实现硅墙与光源阵列的键合封装；步骤1中光刻所用的掩膜图形根据微发光元件的光源尺寸和阵列排列设计，使得步骤3中深硅刻蚀后得到的硅墙的通光尺寸大于单个微发光元件的光源尺寸，且使得所述硅墙的线宽小于微发光元件的光源间隔。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华中科技大学;湖北光谷实验室 一种具有防光学串扰硅墙的微发光元件及制备方法
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