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【发明公布】修复电迁移的方法、装置、设备、存储介质和程序产品_上海壁仞科技股份有限公司_202410653684.9 

申请/专利权人:上海壁仞科技股份有限公司

申请日:2024-05-24

公开(公告)日:2024-06-21

公开(公告)号:CN118231402A

主分类号:H01L27/02

分类号:H01L27/02;G06F30/32

优先权:

专利状态码:在审-公开

法律状态:2024.06.21#公开

摘要:本发明实施方式公开了修复电迁移的方法、装置、设备、存储介质和程序产品。方法包括:确定发生电迁移的违例区域及所述违例区域的违例方向;按照所述违例方向,在从违例区域的终点到违例区域所在的金属线的终点的区间范围内,在所述违例区域所在金属层相邻的第一金属层中确定适于布置金属线的复制区域;在所述复制区域中,复制所述第一金属层中对应于所述违例区域的金属线,其中复制的金属线包含第一通孔和第二通孔,所述第一通孔连接所述违例区域所在金属层与所述第一金属层,所述第二通孔连接所述第一金属层与第二金属层,所述第二金属层与所述第一金属层相邻。提高电迁移修复效率,减少对专业人员的经验依赖,并提高了芯片设计过程的效率。

主权项:1.一种修复电迁移的方法,其特征在于,包括:确定发生电迁移的违例区域及所述违例区域的违例方向;按照所述违例方向,在从所述违例区域的终点到所述违例区域所在的金属线的终点的区间范围内,在所述违例区域所在金属层相邻的第一金属层中确定适于布置金属线的复制区域;在所述复制区域中,复制所述第一金属层中对应于所述违例区域的金属线,其中复制的金属线包含第一通孔和第二通孔,所述第一通孔连接所述违例区域所在金属层与所述第一金属层,所述第二通孔连接所述第一金属层与第二金属层,所述第二金属层与所述第一金属层相邻。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 上海壁仞科技股份有限公司 修复电迁移的方法、装置、设备、存储介质和程序产品

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