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申请/专利权人：万华化学集团电子材料有限公司
申请日：2022-12-08
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN118222186A
主分类号：C09G1/02
分类号：C09G1/02;H01L21/768
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.21#公开
摘要：本发明公开了一种适用于集成电路制造中铜互连结构阻挡层化学机械抛光的抛光组合物及其应用，所述抛光组合物包括氧化剂、研磨颗粒、络合剂、pH调节剂、腐蚀抑制剂、聚乙二醇‑聚氨基酸的共聚物和去离子水。本发明抛光组合物所含聚乙二醇‑聚氨基酸的共聚物组分，聚氨基酸链段的肽键的6个原子处于同一个表面上，其作用于被抛光物表面，可改善抛光后表面凹陷，提高抛光后表面质量，聚乙二醇链段可使共聚物获得良好的亲水性和溶解性，配合聚氨基酸链段发挥作用。
主权项：1.一种适用于集成电路制造中铜互连结构阻挡层化学机械抛光的抛光组合物，所述化学机械抛光组合物包括氧化剂、研磨粒子、络合剂、pH调节剂、腐蚀抑制剂、聚乙二醇-聚氨基酸的共聚物和去离子水；优选地，所述抛光组合物各组分的质量百分含量为：0.01wt％-5wt％的氧化剂，0.1wt％-30wt％的研磨粒子，0.005wt％-0.5wt％的腐蚀抑制剂，0.005wt％-1wt％的络合剂，0.01wt％-1wt％的pH值调节剂，0.001wt％-1wt％的聚乙二醇-聚氨基酸的共聚物，余量为去离子水。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 万华化学集团电子材料有限公司 适用于集成电路制造中阻挡层化学机械抛光的抛光组合物及其应用
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