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【发明授权】一种曲面细分顶点的缓存方法、电子设备及存储介质_沐曦集成电路(上海)有限公司_202311619982.8 

申请/专利权人:沐曦集成电路(上海)有限公司

申请日:2023-11-29

公开(公告)日:2024-06-21

公开(公告)号:CN117541457B

主分类号:G06T1/60

分类号:G06T1/60;G06F12/0893;G06F9/50;G06T17/20

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.06.21#授权;2024.03.01#实质审查的生效;2024.02.09#公开

摘要:本发明涉及芯片设计领域,特别是涉及一种曲面细分顶点的缓存方法、电子设备及存储介质,其通过逐层遍历三角形的顶点,按照指定顺序遍历每个三角形的顶点并将不同类型的顶点有序缓存并更新到第一缓存数据块和第二缓存数据块,其中,第二缓存数据块的更新步骤包括第二类顶点已由第二缓存数据块缓存,则不再更新;否则,将第二类顶点放入第二缓存数据块中。第一缓存数据块的更新步骤包括:当第一类顶点已由第一缓存数据块缓存,则不再更新;否则,当第一缓存数据块中缓存了三个顶点时,则删除第一缓存数据块中先缓存的一个临时顶点并将第一类顶点作为新的临时顶点放入第一缓存数据块中。本发明不仅能够节省面积而且能够提高命中率。

主权项:1.一种曲面细分的顶点缓存方法,其特征在于,所述方法包括如下步骤:S100,获取曲面中的待细分图元;S200,获取待细分图元中细分的所有三角形的顶点和待细分图元中细分的三角形层数;S300,遍历每层三角形的顶点,将遍历的每个三角形的顶点有序缓存,根据缓存的顶点生成三角形;其中将遍历的每个三角形的顶点有序缓存的步骤包括:S310,获取第一缓存数据块中缓存的顶点,包括遍历的一个起始顶点和两个临时顶点,所述起始顶点和所述临时顶点均为第一类顶点,所述第一类顶点为三角形中远离图元中心点一侧的顶点;S320,当遍历完最后一层中最后一个三角形的顶点时,结束遍历;S330,当遍历至第i层的第j个三角形时,按照指定顺序依次遍历第j个三角形的顶点,更新第一缓存数据块和第二缓存数据块,其中i和j均为正整数;其中,第二缓存数据块的更新步骤包括:S3310,当第j个三角形的顶点中第二类顶点已由第二缓存数据块缓存,则不再更新第二缓存数据块中缓存的顶点,其中所述第二类顶点为三角形中靠近图元中心点一侧的顶点;否则,将第二类顶点放入第二缓存数据块中;其中,第一缓存数据块的更新步骤包括:S3320,当第j个三角形的第一类顶点已由第一缓存数据块缓存,则不再更新第一缓存数据块中缓存的顶点;否则,当第一缓存数据块中缓存了三个顶点时,则删除第一缓存数据块中先缓存的一个临时顶点并将第一类顶点作为新的临时顶点放入第一缓存数据块中;当第一缓存数据块中缓存的顶点数量不满三个时,则直接将第一类顶点作为新的临时顶点放入第一缓存数据块中。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 沐曦集成电路(上海)有限公司 一种曲面细分顶点的缓存方法、电子设备及存储介质

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