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申请/专利权人：上海迷思科技有限公司
申请日：2021-06-15
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN113394333B
主分类号：H10N10/01
分类号：H10N10/01;H10N10/17;G01J5/12;G01J5/14
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.21#授权;2021.10.01#实质审查的生效;2021.09.14#公开
摘要：本发明提供一种双层悬浮红外热电堆的制备方法，通过形成位于红外吸收层下且覆盖刻蚀窗口的硅牺牲层，可在最后一道步骤中同时释放红外吸收层及热电偶复合层，形成包括第一层悬浮结构及第二层悬浮结构的双层悬浮红外热电堆，从而可有效降低工艺复杂度、提高成品率，有利于实现红外热电堆的小型化和高性能。
主权项：1.一种双层悬浮红外热电堆的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供硅衬底；于所述硅衬底上形成热电偶复合层，所述热电偶复合层包括覆盖所述硅衬底的支撑介质层，以及位于所述支撑介质层上的热偶材料层、电绝缘层及金属互联层；图形化所述热电偶复合层，形成显露所述硅衬底的刻蚀窗口；形成覆盖所述热电偶复合层及刻蚀窗口的硅牺牲层；图形化所述硅牺牲层，于热电偶的热结端形成显露所述电绝缘层的沟槽；形成覆盖所述硅牺牲层及沟槽的图形化的红外吸收层；采用湿法腐蚀，去除所述硅牺牲层形成间隔间隙，释放所述红外吸收层，形成第二层悬浮结构，且于同一步骤中自所述刻蚀窗口去除部分所述硅衬底形成隔热空腔，释放所述热电偶复合层形成第一层悬浮结构；其中，所述硅衬底为（100）单晶硅衬底，所述硅牺牲层为非晶硅牺牲层或多晶硅牺牲层中的一种或组合；于所述硅衬底上形成所述热电偶复合层的步骤包括：于所述硅衬底上形成覆盖所述硅衬底的支撑介质层；于所述支撑介质层上形成热偶材料层；于所述热偶材料层上形成覆盖所述热偶材料层的电绝缘层；图形化所述电绝缘层形成显露所述热偶材料层的接触孔；于所述电绝缘层上形成图形化的金属互联层，且所述金属互联层通过所述接触孔与所述热偶材料层相接触。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海迷思科技有限公司 双层悬浮红外热电堆的制备方法
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