申请/专利权人:粤芯半导体技术股份有限公司
申请日:2024-03-21
公开(公告)日:2024-06-21
公开(公告)号:CN117954390B
主分类号:H01L21/768
分类号:H01L21/768;H01L21/67;H01L21/66;G06F16/2457;G06F16/28;G06F17/18
优先权:
专利状态码:有效-授权
法律状态:2024.06.21#授权;2024.05.17#实质审查的生效;2024.04.30#公开
摘要:本申请实施例提供了一种铜互连结构制备方法、装置、设备以及存储介质,该方法包括:获取输入的待处理产品片中铜互连结构的目标接触电阻,将目标接触电阻输入至预先构建的曲线拟合模型得到目标蚀刻沉积比;在设置的参数对照表中查询确定对应目标蚀刻沉积比的至少一组候选工艺参数,从至少一组候选工艺参数中确定满足产品可靠性条件的目标工艺参数;根据目标工艺参数生成待处理产品片中阻挡层的符合目标接触电阻的铜互连结构。实现了高效适配目标接触电阻进行铜互连结构的生成,提高铜金属互连的可靠性。
主权项:1.一种铜互连结构制备方法,其特征在于,包括:获取输入的待处理产品片中铜互连结构的目标接触电阻,将所述目标接触电阻输入至预先构建的曲线拟合模型得到目标蚀刻沉积比,所述曲线拟合模型为表征在多个产品测试片上分别应用不同的蚀刻沉积比生成阻挡层时,测定的多个接触电阻以及对应的蚀刻沉积比的数值对应关系;在设置的参数对照表中查询确定对应所述目标蚀刻沉积比的至少一组候选工艺参数,从所述至少一组候选工艺参数中确定满足产品可靠性条件的目标工艺参数,所述参数对照表为记录在多个控挡测试片上分别应用不同组的工艺参数生成阻挡层时,测定的多个蚀刻沉积比以及每个所述蚀刻沉积比对应的至少一组工艺参数;根据所述目标工艺参数生成所述待处理产品片中阻挡层的符合所述目标接触电阻的铜互连结构。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 粤芯半导体技术股份有限公司 铜互连结构制备方法、装置、设备以及存储介质
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