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申请/专利权人：深圳市大为创芯微电子科技有限公司
申请日：2023-10-27
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN221199819U
主分类号：G01R31/00
分类号：G01R31/00;G01R1/04
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.21#授权
摘要：本实用新型涉及一种DRAM颗粒兼容性测试主板，包括：系统级芯片SoC1、系统级芯片SoC2、晶振、电源模块、温度控制模块、射频模块、DRAM芯片治具和存储芯片，系统级芯片SoC1与系统级芯片SoC2连接，晶振与系统级芯片SoC1连接，系统级芯片SoC1分别连接存储芯片与DRAM芯片治具，电源模块接入电源输入，并分别连接系统级芯片SoC1、系统级芯片SoC2、温度控制模块、射频模块、DRAM芯片治具和存储芯片，系统级芯片SoC2分别连接电源模块、温度控制模块、射频模块、DRAM芯片治具和存储芯片。实施本实用新型的DRAM颗粒兼容性测试主板通过对不同主板环境的模拟，节约购买各类主板及主板改装的费用及时间，同时节省了各种测试主板的管理成本及兼容性测试的人力成本，降低了对测试人员的要求。
主权项：1.一种DRAM颗粒兼容性测试主板，包括：系统级芯片SoC1、系统级芯片SoC2、晶振、电源模块、温度控制模块、射频模块、DRAM芯片治具和存储芯片，其特征在于，所述系统级芯片SoC1与所述系统级芯片SoC2连接，所述晶振与所述系统级芯片SoC1连接，所述系统级芯片SoC1分别连接所述存储芯片与所述DRAM芯片治具，所述电源模块接入电源输入，并分别连接所述系统级芯片SoC1、所述系统级芯片SoC2、所述温度控制模块、所述射频模块、所述DRAM芯片治具和所述存储芯片，所述系统级芯片SoC2分别连接所述电源模块、所述温度控制模块、所述射频模块、所述DRAM芯片治具和所述存储芯片。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 深圳市大为创芯微电子科技有限公司 一种DRAM颗粒兼容性测试主板
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