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一种IBC电池及其制备方法 

申请/专利权人:一道新能源科技股份有限公司

申请日:2022-12-16

公开(公告)日:2024-06-25

公开(公告)号:CN118248770A

主分类号:H01L31/18

分类号:H01L31/18;H01L31/068

优先权:

专利状态码:在审-公开

法律状态:2024.06.25#公开

摘要:本发明实施例提供了一种IBC电池及其制备方法,其中,本发明实施例所提供IBC电池的制备方法,通过先依次在IBC电池的整个背面沉积一层电极层及第二氧化硅层,该电极层同时与发射极和背场结构连接,然后利用第二氧化硅层作为蚀刻屏障,定点刻蚀电极层,实现快速、精准地形成指状交叉的接触电极,再消除该第二氧化硅层,完成IBC电池金属化,从而解决了现有IBC电池的金属化方式无法高效形成接触电极的问题。

主权项:1.一种IBC电池的制备方法,其特征在于,包括:在硅片背面形成相互间隔的发射极和背场结构后,在发射极和背场结构表面形成第一氧化硅层;在所述第一氧化硅层上刻蚀第一开口及第二开口,所述第一开口的投影在所述发射极范围内,所述第二开口的投影在所述背场结构范围内;在刻蚀有所述第一开口及第二开口的硅片整个背面依次沉积电极层及第二氧化硅层;在所述第二氧化硅层上刻蚀第三开口,所述第三开口的投影在第一开口及第二开口之间;刻蚀去除所述第三开口处的电极层后,消除所述第二氧化硅层,制得IBC电池。

全文数据:

权利要求:

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