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申请/专利权人：厦门大学
申请日：2024-03-22
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN118248723A
主分类号：H01L29/739
分类号：H01L29/739;H01L29/06
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.25#公开
摘要：一种光增强积累型碳化硅器件，由多个元胞并联形成，各元胞结构包括P型掺杂集电区、N型掺杂缓冲层、N型掺杂漂移区、N型掺杂载流子存储层、P型掺杂的阱区、N型掺杂的源区、P型掺杂的基区、第一氧化层、AlN介质层、第二氧化层、LED元胞、多晶硅栅电极、发射极电极、集电极电极；通过修改沟道的掺杂类型，使碳化硅的沟道从耗尽型沟道变成积累型沟道，有效降低器件的沟道电阻；通过在器件的栅极内部集成LED元胞，使其在碳化硅器件正向导通时发光，使器件内部在导通时产生大量光生载流子，大幅降低器件的JFET区和漂移区电阻，提高碳化硅器件的电导调制效应。综合以上效应，可以使碳化硅的导通电流得到有效提高，导通电阻得到降低。
主权项：1.一种光增强积累型碳化硅器件，其特征在于：由多个元胞并联形成，各所述元胞的结构包括P型掺杂集电区1、N型掺杂缓冲层2、N型掺杂漂移区3、N型掺杂载流子存储层4、P型掺杂的阱区5、N型掺杂的源区6、P型掺杂的基区7、第一氧化层8、AlN介质层9、第二氧化层10、LED元胞11、多晶硅栅电极12、发射极电极13、集电极电极14；所述N型掺杂缓冲层2位于P型掺杂集电区1的上方；所述N型掺杂漂移区3位于N型掺杂缓冲层2的上方；所述N型掺杂载流子存储层4位于所述N型掺杂漂移区3的上方；所述P型掺杂的阱区5位于N型掺杂载流子存储层4的外周；所述N型掺杂的源区6位于P型掺杂的阱区5的内部；所述P型掺杂的基区7位于P型掺杂的阱区5的内部；所述第一氧化层8和AlN介质层9位于N型掺杂载流子存储层4的上方，器件导通时第一氧化层下方形成积累型沟道；所述多晶硅栅电极12位于第一氧化层8的上方；所述LED元胞11由多晶硅栅电极12内的第二氧化层10保护；所述发射极电极13位于N型掺杂的源区6与P型掺杂的基区7的上方；所述集电极电极14位于P型掺杂集电区1的下方。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 厦门大学 一种光增强积累型碳化硅器件
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