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申请/专利权人：中国人民解放军国防科技大学
申请日：2024-05-11
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN118244424A
主分类号：G02B6/14
分类号：G02B6/14;G02B6/12
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.25#公开
摘要：本发明属于微纳光电子元器件技术领域，具体涉及一种基于相变材料和逆向设计的模式转换开关，包括依次连接的输入波导、耦合区域和至少2个输出波导，所述耦合区域包括对应输出波导设置的优化区以及设置在优化区之间的相变区，所述优化区设置有用于改变折射率的点状阵列，所述相变区内设置有相变材料；本申请在不同的模式输出时，都具有较低的插入损耗和串扰，热串扰低，可以很方便的进行多个不同模式的切换，具有较好的扩展性，可以扩展为模式转换和功率分束器。
主权项：1.一种基于相变材料和逆向设计的模式转换开关，其特征是，包括依次连接的输入波导、耦合区域和至少2个输出波导，所述耦合区域包括对应输出波导设置的优化区以及设置在优化区之间的相变区，所述优化区设置有用于改变折射率的点状阵列，所述相变区内设置有相变材料。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国人民解放军国防科技大学 一种基于相变材料和逆向设计的模式转换开关
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