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申请/专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日：2023-10-11
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN118248203A
主分类号：G11C16/34
分类号：G11C16/34;G06F12/0882;G11C16/24;G11C16/08
优先权：["20221223 KR 10-2022-0182875"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.25#公开
摘要：本申请涉及用于执行盲编程操作的半导体存储器装置及其操作方法。本文可提供一种半导体存储器装置及其操作方法。通过该方法，可对包括在选为编程目标的页中的多个存储器单元当中的具有多个编程状态当中的第N编程状态作为目标编程状态的第一存储器单元执行至少一个正常编程循环，并且可对第一存储器单元执行至少一个盲编程循环。在执行至少一个盲编程循环时，存储在联接到第一存储器单元的第一页缓冲器的数据锁存器中并且与第N编程状态对应的目标数据图案可改变为与低于第N编程状态的第一编程状态对应的第一数据图案，并且其中，N是等于或大于2的自然数。
主权项：1.一种操作半导体存储器装置的方法，该方法包括以下步骤：对包括在选为编程目标的页中的多个存储器单元当中的具有多个编程状态当中的第N编程状态作为目标编程状态的第一存储器单元执行至少一个正常编程循环；以及对所述第一存储器单元执行至少一个盲编程循环，其中，在执行所述至少一个盲编程循环时，存储在与所述第一存储器单元联接的第一页缓冲器的数据锁存器中并与所述第N编程状态对应的目标数据图案改变为与所述多个编程状态当中的低于所述第N编程状态的第一编程状态对应的第一数据图案，并且其中，N是等于或大于2的自然数。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 爱思开海力士有限公司 用于执行盲编程操作的半导体存储器装置及其操作方法
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