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申请/专利权人：浜松光子学株式会社;安乃捷科技公司
申请日：2023-01-24
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN118251968A
主分类号：H05G2/00
分类号：H05G2/00
优先权：["20220221 US 17/676,712"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.25#公开
摘要：用于UV光源的等离子体腔室包括规定等离子体限制区域的等离子体产生区域。端口被定位成与等离子体产生区域的一侧相邻，且允许产生的光传出腔室。高电压区域耦合到等离子体产生区域。接地区域耦合到高电压区域，并且规定被配置为耦合到地线且被确定尺寸以容纳周围的感应芯的外表面。高电压区域的宽度大于接地区域的宽度。
主权项：1.一种等离子体腔室，其中，包括：a等离子体产生区域，其规定等离子体限制区域；b端口，其被定位成与所述等离子体产生区域的第一侧相邻，且允许产生的光传出所述腔室；c高电压区域，其耦合到所述等离子体产生区域；和d接地区域，其耦合至所述高电压区域，所述接地区域规定外表面，该外表面被配置为耦合至地线并且被确定尺寸以容纳周围的感应芯。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 浜松光子学株式会社;安乃捷科技公司 感应耦合等离子体光源
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