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申请/专利权人：中微半导体设备(上海)股份有限公司
申请日：2022-12-26
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN118263076A
主分类号：H01J37/32
分类号：H01J37/32
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.28#公开
摘要：本发明公开了一种等离子体处理装置，包括反应腔，该反应腔内设置有上电极以及与该上电极相对的下电极组件，所述下电极组件下表面连接有射频导杆，从而与射频电源连接，一射频屏蔽部件环绕该射频导杆设置在反应腔内，一电容调节装置设置在所述射频屏蔽部件、所述下电极组件和反应腔底壁构成的空间内，通过所述电容调节装置调节所述下电极组件或射频导杆和地之间的电容；通过上述装置，单一腔体可满足多种射频频率的需要，为单一腔体的多频应用提供了可行性。
主权项：1.一种等离子体处理装置，包括：由反应腔顶壁、反应腔底壁和反应腔侧壁包围形成的反应腔，所述反应腔内设置有上电极以及与所述上电极相对的下电极组件，所述下电极组件通过一射频导杆与射频电源连接，所述下电极组件的下方设置有射频屏蔽部件，所述射频屏蔽部件环绕设置在所述射频导杆外围，其特征在于，一电容调节装置设置在所述射频屏蔽部件、所述下电极组件和所述反应腔底壁构成的空间内，通过所述电容调节装置调节所述下电极组件和地之间的电容。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中微半导体设备(上海)股份有限公司 一种等离子体处理装置
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