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申请/专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日：2020-08-25
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN112447481B
主分类号：H01J37/32
分类号：H01J37/32
优先权：["20190905 JP 2019-162335"]
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.28#授权;2021.03.23#实质审查的生效;2021.03.05#公开
摘要：本发明提供能够监视在实施等离子体处理的期间沉积于等离子体生成空间的膜的膜厚的技术。本发明的一方式的等离子体处理装置包括：处理容器；配置于上述处理容器的内部的与高频电源连接的第1电极；与上述第1电极相对地配置在上述处理容器的内部的接地的第2电极；以及与上述第1电极和上述第2电极的至少一个电极连接的膜厚计算部，其计算沉积于上述至少一个电极的膜的膜厚。
主权项：1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：处理容器；配置于所述处理容器的内部的与高频电源连接的第1电极；与所述第1电极相对地配置在所述处理容器的内部的接地的第2电极；和与所述第1电极和所述第2电极的至少一个电极连接的膜厚计算部，其用于计算沉积于所述至少一个电极的膜的膜厚，所述膜厚计算部基于对所述至少一个电极施加具有比所述高频电源供给的高频电压低的频率的交流电压时流过所述至少一个电极的电流，来计算所述膜厚。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 东京毅力科创株式会社 等离子体处理装置和控制方法
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