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申请/专利权人：华虹半导体(无锡)有限公司
申请日：2024-03-12
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN118248702A
主分类号：H01L27/146
分类号：H01L27/146
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.25#公开
摘要：本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种CIS器件深孔结构及其制造方法。CIS器件深孔结构包括：N型掺杂半导体层，所述N型掺杂半导体层中形成硼离子掺杂层；深孔结构，所述深孔结构从所述N型掺杂半导体层的表面向下延伸，所述深孔结构的孔底部伸入所述硼离子掺杂层中，所述硼离子掺杂层接触包围所述深孔结构的孔底部；所述深孔结构中填充有层叠结构，所述层叠结构包括由外至内依次层叠的P型掺杂外延层、第一本征外延层、N型掺杂外延层和第二本征外延层；所述P型掺杂外延层在伸入所述硼离子掺杂层中的深孔结构的孔底部的生长速率高于在所述深孔结构的孔顶部的生长速率。
主权项：1.一种CIS器件深孔结构，其特征在于，所述CIS器件深孔结构包括：N型掺杂半导体层，所述N型掺杂半导体层中形成硼离子掺杂层；深孔结构，所述深孔结构从所述N型掺杂半导体层的表面向下延伸，所述深孔结构的孔底部伸入所述硼离子掺杂层中，所述硼离子掺杂层接触包围所述深孔结构的孔底部；所述深孔结构中填充有层叠结构，所述层叠结构包括由外至内依次层叠的P型掺杂外延层、第一本征外延层、N型掺杂外延层和第二本征外延层；所述P型掺杂外延层在伸入所述硼离子掺杂层中的深孔结构的孔底部的生长速率高于在所述深孔结构的孔顶部的生长速率。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华虹半导体(无锡)有限公司 CIS器件深孔结构及其制造方法
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