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申请/专利权人：华虹半导体(无锡)有限公司
摘要：本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及CIS器件。CIS器件包括：外延层，外延层包括由下至上依次层叠的第一外延层、第二外延层和第三外延层，第二外延层中的硼离子掺杂浓度大于第三外延层中的硼离子掺杂浓度，第一外延层中的硼离子掺杂浓度大于述第二外延层中的硼离子掺杂浓度；深孔结构，深孔结构从外延层的表面向下延伸，深孔结构的孔底部伸入第一外延层中；深孔结构中填充有CIS外延结构；CIS外延结构在与第一外延层接触位置处的外延生长速率大于与第二外延层接触位置处的外延生长速率，CIS外延结构在与第二外延层接触位置处的外延生长速率大于与第三外延层接触位置处的外延生长速率，你能够解决相关技术容易导致顶部提前封口的问题。
主权项：1.一种CIS器件，其特征在于，所述CIS器件包括：外延层，所述外延层包括由下至上依次层叠的第一外延层、第二外延层和第三外延层，所述第二外延层中的硼离子掺杂浓度大于所述第三外延层中的硼离子掺杂浓度，所述第一外延层中的硼离子掺杂浓度大于所述述第二外延层中的硼离子掺杂浓度；深孔结构，所述深孔结构从所述外延层的表面向下延伸，所述深孔结构的孔底部伸入所述第一外延层中；所述深孔结构中填充有CIS外延结构；所述CIS外延结构在与所述第一外延层接触位置处的外延生长速率大于与所述第二外延层接触位置处的外延生长速率，所述CIS外延结构在与所述第二外延层接触位置处的外延生长速率大于与所述第三外延层接触位置处的外延生长速率。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华虹半导体(无锡)有限公司 CIS器件
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