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申请/专利权人：天府兴隆湖实验室
申请日：2024-05-10
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN118244591A
主分类号：G03F7/20
分类号：G03F7/20
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.25#公开
摘要：本申请提供一种超分辨率光刻方法及装置，涉及光刻技术领域。所述超分辨率光刻方法包括：提供一掩模，掩模包括相对设置的第一表面及第二表面，第一表面设置有掩模图案区域；将待处理晶圆设置于掩模靠近第一表面的一侧；对待处理晶圆进行滴液操作；控制待处理晶圆与掩模图案区域相向运动，并对掩模进行弯曲处理，使掩模图案区域向靠近待处理晶圆的一侧凸起，直至待处理晶圆与掩模图案区域之间的距离小于或等于预设阈值；对待处理晶圆进行曝光。在上述设计中，通过在掩模和待处理晶圆之间填充液体，并对掩模进行弯曲处理，可以有效减少掩模图案区域在浸没时气泡的产生，改善掩模和待处理晶圆之间的间隙均匀性，提升光刻效率和光刻质量。
主权项：1.一种超分辨率光刻方法，其特征在于，包括：提供一掩模，所述掩模包括相对设置的第一表面及第二表面，所述第一表面设置有掩模图案区域；将待处理晶圆设置于所述掩模靠近所述第一表面的一侧；对所述待处理晶圆进行滴液操作；控制所述待处理晶圆与所述掩模图案区域相向运动，并对所述掩模进行弯曲处理，使所述掩模图案区域向靠近所述待处理晶圆的一侧凸起，直至所述待处理晶圆与所述掩模图案区域之间的距离小于或等于预设阈值；解除对所述掩模的弯曲处理，并基于所述掩模对所述待处理晶圆进行曝光。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 天府兴隆湖实验室 一种超分辨率光刻方法及装置
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