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申请/专利权人：安徽微芯长江半导体材料有限公司
摘要：本发明公开了一种碳化硅晶片生长除背面沉积物装置，涉及晶片生长技术领域包括基座，基座上方固定设有载盘，基座后方固定设有驱动座，载盘中部通过支撑柱及多层连接机构安装有放置座，载盘位于放置座两侧固定设有支撑架，支撑架内架设有注液管，驱动座位于载盘一侧设有电机，电机的输出端通过旋转柱安装有旋转盘，旋转盘与放置座的位置相对，旋转盘底部固定设有磨砂轮，旋转盘的侧边通过升降机构安装有向内环绕的清理刷毛。本发明结构简单，针对于以背面镀上金属方式生产的碳化硅晶片，将其上的金属层腐蚀，对腐蚀后的金属层及其所黏连的沉积物扫落，并在金属层腐蚀后以打磨的方式对剩余沉积物清理，极大提高清理速度，适合推广。
主权项：1.一种碳化硅晶片生长除背面沉积物装置，包括基座1，所述基座1上方固定设有载盘2，所述基座1后方固定设有驱动座3，其特征在于，所述载盘2中部通过支撑柱13及多层连接机构安装有放置座5，所述载盘2位于放置座5两侧固定设有支撑架6，所述支撑架6内架设有注液管28，所述注液管28的开口处位于放置座5侧壁；所述驱动座3位于载盘2一侧设有升降架4，所述升降架4通过固定环8固定设有电机9，所述电机9的输出端通过旋转柱19安装有旋转盘10，所述旋转盘10与放置座5的位置相对，所述旋转盘10底部固定设有磨砂轮12，所述旋转盘10的侧边通过升降机构安装有向内环绕的清理刷毛11。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 安徽微芯长江半导体材料有限公司 一种碳化硅晶片生长除背面沉积物装置
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