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申请/专利权人：英特尔NDTM(美国)有限责任公司
申请日：2023-09-21
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN118251005A
主分类号：H10B41/35
分类号：H10B41/35;G11C11/4063;H10B41/20;H10B43/35;H10B43/20
优先权：["20221222 US 18/087,688"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.25#公开
摘要：本文公开了层面间层和柱对准。一种半导体电路包括半导体装置的多个层面，每个层面具有多个三维3D堆叠体。半导体电路在第一层面与第二层面之间具有氮化物层。氮化物层具有穿过氮化物层的自对准柱，以将第一层面电连接到第二层面。氮化物层可以具有多个子层，其具有镜像梯度掺杂，朝向氮化物层的中部具有较低的掺杂，并且朝向与层面界面相接的氮化物层的外部具有较高的掺杂。
主权项：1.一种半导体电路，包括：第一层面，所述第一层面包括半导体装置的第一三维3D堆叠体；第二层面，所述第二层面包括半导体装置的第二3D堆叠体；以及氮化物层，所述氮化物层位于所述第一层面与所述第二层面之间，所述氮化物层具有穿过所述氮化物层的自对准柱，以将所述第一层面电连接到所述第二层面。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 英特尔NDTM(美国)有限责任公司 层面间层和柱对准
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