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申请/专利权人：宜确半导体(苏州)有限公司
申请日：2023-11-21
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN117374055B
主分类号：H01L23/64
分类号：H01L23/64;H10N70/00
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.25#授权;2024.01.26#实质审查的生效;2024.01.09#公开
摘要：本发明提供了一种三维半导体结构、三维电容器及其制备方法，所述的三维半导体结构，包括以下结构：第一导电层；位于所述第一导电层表面且与所述第一导电层至少部分保形接触的介质层；位于所述介质层表面且与所述介质层至少部分保形接触的第二导电层；所述第一导电层包括相互电接触的金属图案化层和网格状导电层，所述第一导电层具有多个凸起结构。本发明的三维电容由于具有很好的导电和散热性能，在高功率和高温应用场景中具有优势，可获得更大的功率耐受能力和更宽的工作温度范围。
主权项：1.一种三维半导体结构，包括以下结构：第一导电层；位于所述第一导电层表面且与所述第一导电层至少部分保形接触的介质层；位于所述介质层表面且与所述介质层至少部分保形接触的第二导电层；其特征在于，所述第一导电层包括相互电接触的金属图案化层和网格状导电层，其中，所述金属图案化层通过沉积的金属层经过电镀或3D打印的方式形成具有图案化的结构，所述第一导电层为具有多个凸起结构。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 宜确半导体(苏州)有限公司 一种三维半导体结构、三维电容器及其制备方法
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