龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
申请/专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日：2024-04-30
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN118112027B
主分类号：G01N23/203
分类号：G01N23/203;G01N23/20058
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.25#授权;2024.06.18#实质审查的生效;2024.05.31#公开
摘要：本发明公开了一种晶体缺陷的电子背散射衍射成像表征方法，该方法利用扫描电镜设备SEM，通过背散射电子通道衬度成像ECCI分析缺陷，可以直接观测外延薄膜或单晶块体材料晶体样品中的小角度晶界以及相分离；用位错成像尺寸和黑白衬度B‑W方向区分位错类型，建立一种可靠的位错类型区分方式。小角度下θ10°倾斜晶体样品选择合适的衍射矢量，有利于表征靠近高度对称晶带轴[0001]的位错，是一种针对外延薄膜或单晶块体材料晶体样品中穿透位错密度及类型的大面积、快速无损分析方法。
主权项：1.一种晶体缺陷的电子背散射衍射成像表征方法，所述晶体为具有六角对称性单晶外延薄膜或块状单晶材料，其特征在于，包括：s1、扫描电镜产生的电子束在一定的角度范围内摆动，对水平静止的晶体进行背散射成像，获得第一电子通道衬度图像；s2、计算第一电子通道衬度图像中多个菊池带分别对应的衍射晶面的面间距，确定每一条菊池带对应的衍射条件；s3、选定衍射条件，锁定晶体位置，通过背散射扫描模式对晶体缺陷进行成像，获得第二电子通道衬度图像；s4、重复s1至s3步骤，针对晶体上同一目标区域在不同衍射条件下的背散射扫描成像，对比第二电子通道衬度图像，分析不同颜色条件下缺陷衬度和或黑-白衬度方向变化，判断晶体的位错类型。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 晶体缺陷的电子背散射衍射成像表征方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号