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一种涡旋波入射下的超表面散射特性计算方法 

申请/专利权人:中国人民解放军空军预警学院

申请日:2024-05-31

公开(公告)日:2024-06-28

公开(公告)号:CN118260977A

主分类号:G06F30/20

分类号:G06F30/20;G06F17/13;G06F119/02

优先权:

专利状态码:在审-公开

法律状态:2024.06.28#公开

摘要:本发明提供一种涡旋波入射下的超表面散射特性计算方法。该方法从阵列天线的角度出发研究该场景下的散射问题,将超表面的散射场等效为入射波作为激励引起的超表面的辐射场,组成超表面的每个单元都等效为一个天线阵元。因此,可以用阵列天线理论计算超表面的散射场。在确定计算所需的所有参数后,通过坐标变换关系可以将任意角度入射问题转化为垂直入射问题,从而可以简化计算。根据入射波方向图函数计算得到超表面上每个单元的激励信息,再利用超表面单元的辐射特性可以计算得到每个单元的散射场。最后,将所有单元的散射场进行叠加即可得到整个超表面的散射场空间分布。

主权项:1.一种涡旋波入射下的超表面散射特性计算方法,其特征在于,包括以下步骤:S1、初始化参数:指包括发射天线参数、超表面参数、距离和角度的参数;S2、坐标变换:以超表面中心点为原点建立直角坐标系,计算在所述直角坐标系下各超表面单元的位置坐标,并根据坐标转换关系及入射角度推导出斜入射时,超表面相对于入射轴投影面上的单元位置坐标;S3、建立单元坐标与激励的映射关系:根据发射天线的方向图函数及所述S2得到的坐标角度关系,建立超表面单元的坐标与入射携带有轨道角动量OAM涡旋波引起的激励之间的映射关系;S4、计算所述超表面单元的散射场:超表面单元的散射能够看作是被入射波激励后形成的二次辐射;根据所述S3得到的映射关系,能够计算所述超表面单元在激励下形成的辐射场,即所述超表面单元的散射场;S5、叠加散射场:超表面的散射场为组成超表面的所有单元的散射场的叠加;将所述S4得到的所述超表面单元的散射场依次叠加得到最终的散射场;S6、判断叠加是否结束:当时,叠加结束,输出总的散射场;当时,则令,并返回所述S4继续执行;其中为超表面单元总数。

全文数据:

权利要求:

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