申请/专利权人：苏州华太电子技术股份有限公司

申请日：2020-07-21

公开（公告）日：2024-06-25

公开（公告）号：CN111799323B

主分类号：H01L29/06

分类号：H01L29/06;H01L29/739;H01L21/331

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.06.25#授权;2022.09.09#著录事项变更;2020.11.06#实质审查的生效;2020.10.20#公开

摘要：本发明公开了一种超级结绝缘栅双极型晶体管结构及其制作方法。所述超级结绝缘栅双极型晶体管结构包括沿第一方向依次设置的集电区、第一外延层和第二外延层，所述集电区与集电极配合设置；所述第一外延层内分布有间隔设置的多个超级结结构，所述超级结结构包括沿第一方向依次设置的两个以上的超级结，且所述两个以上的超级结于第二方向上相互错开；所述第二外延层内分布有间隔设置的多个第一沟槽，每一第一沟槽内设置有一栅极。本发明提供的超级结绝缘栅双极型晶体管结构可以降低导通时的饱和压降，以及，本发明实施例提供的超级结绝缘栅双极型晶体管结构可以加快器件关断时漂移区内空穴的复合速度、减少拖尾电流、降低了关断损耗。

主权项：1.一种超级结绝缘栅双极型晶体管结构，其特征在于包括沿第一方向依次设置的集电区、第一外延层和第二外延层，所述集电区与集电极配合设置；所述第一外延层内分布有间隔设置的多个超级结结构，所述超级结结构包括沿第一方向依次设置的两个以上的超级结，且所述两个以上的超级结于第二方向上相互错开；具体的，所述第一外延层包括第一N-漂移区、第二N-漂移区，所述第一N-漂移区内分布有间隔设置的多个第一P型柱，所述第二N-漂移区内分布有间隔设置的多个第二P型柱，每一第一P型柱与一第二P型柱相对应并形成超级结结构，并且，所述第一P型柱与所述第二P型柱于所述第二方向上相互错开，所述第一P型柱还与所述第二N-漂移区接触或连接，所述第一P型柱与第二P柱之间不产生直接接触或连接，且所述第一N-漂移区与第二N-漂移区接触或连接；所述第二外延层内分布有间隔设置的多个第一沟槽，每一第一沟槽内设置有一栅极，所述第二外延层包括第一半导体层和形成在第一半导体层上的第二半导体层，所述第二半导体层为阱区，所述阱区内分布有间隔设置的多个发射极，每一发射极与一第一沟槽配合设置，每一第一沟槽的局部区域设置于所述阱区内，所述第二P型柱还分别与所述第一N-漂移区、第一半导体层接触或连接；其中，所述集电区、超级结结构、阱区均为第一导电类型，所述第一外延层、第一半导体层、发射极均为第二导电类型。

全文数据：

权利要求：

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