申请/专利权人：西安电子科技大学

申请日：2023-10-30

公开（公告）日：2024-06-25

公开（公告）号：CN117393528B

主分类号：H01L23/492

分类号：H01L23/492;H01L23/49;H01L25/07

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.06.25#授权;2024.01.30#实质审查的生效;2024.01.12#公开

摘要：本发明涉及一种轴对称的碳化硅功率模块封装结构，包括：若干芯片、若干功率端子、若干输出端子、若干键合线、第一功率铜面、第二功率铜面、第三功率铜面和第四功率铜面，其中，第一功率铜面、第二功率铜面、第三功率铜面、第四功率铜面、若干芯片、若干功率端子和若干输出端子形成关于第一坐标轴和第二坐标轴均对称的轴对称布局，确保对称位置的换流回路各个部分的寄生电感完全一致；同时，第三功率铜面与第一功率铜面之间形成第一交错部分，第四功率铜面与第一功率铜面之间形成第二交错部分，在第一交错部分和第二交错部分的功率端子交错摆放且相互靠近，从而形成多组近距离、交错放置的功率端子，增强了不同环流回路之间的互感相消效应。

主权项：1.一种轴对称的碳化硅功率模块封装结构，其特征在于，包括：若干芯片、若干功率端子、若干输出端子、若干键合线、第一功率铜面7、第二功率铜面8、第三功率铜面9A和第四功率铜面9B，其中，所述第二功率铜面8、所述第三功率铜面9A、所述第四功率铜面9B均位于所述第一功率铜面7的内部；所述第三功率铜面9A位于所述第二功率铜面8的一侧且位于所述第二功率铜面8与所述第一功率铜面7之间，所述第四功率铜面9B位于所述第二功率铜面8的另一侧且位于所述第二功率铜面8与所述第一功率铜面7之间；所述第三功率铜面9A与所述第一功率铜面7的相邻侧相互交错形成第一交错部分，所述第四功率铜面9B与所述第一功率铜面7的相邻侧相互交错形成第二交错部分；所述第三功率铜面9A、所述第四功率铜面9B通过键合线相连；所述若干芯片分布在所述第一功率铜面7和所述第二功率铜面8上，且每个芯片通过所述键合线按照电流路径与相应的功率铜面相连；所述若干功率端子分布在所述第一交错部分和第二交错部分，且位于不同功率铜面上的功率端子彼此靠近；所述若干输出端子分布在所述第二功率铜面8上；所述第一功率铜面7、第二功率铜面8、第三功率铜面9A、第四功率铜面9B、若干芯片、若干功率端子和若干输出端子形成关于第一坐标轴和第二坐标轴均对称的轴对称结构，所述第一坐标轴和所述第二坐标轴相互垂直。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 西安电子科技大学 一种轴对称的碳化硅功率模块封装结构

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