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申请/专利权人：朗姆研究公司
申请日：2019-02-22
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN111758145B
主分类号：H01J37/32
分类号：H01J37/32;H01L21/3065
优先权：["20180223 US 62/634,725"]
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.25#授权;2021.03.12#实质审查的生效;2020.10.09#公开
摘要：提供了一种在处理室中的多个站中进行等离子体辅助的半导体处理的方法。该方法包括：a在所述多个站中的每个站处提供衬底；b将RF功率分配给多个站，从而在所述站内产生等离子体，其中，根据被调节以减小站与站之间的变化的RF功率参数来分配所述RF功率；c调谐所述RF功率的频率，其中，调谐所述频率包括：i测量所述等离子体的电流，ii根据i中所测得的所述电流确定所述RF功率的所述频率的变化，以及iii调节所述RF功率的所述频率；以及d在每个站处在所述衬底上执行半导体处理操作。
主权项：1.一种在处理室中的多个站中进行等离子体辅助的半导体处理的方法，该方法包括：a在所述多个站中的每个站处提供衬底；b将RF功率分配给多个站，从而在所述站内产生等离子体，其中，根据被调节以减小站与站之间的变化的RF功率参数来分配所述RF功率；c调谐所述RF功率的频率，其中，调谐所述频率包括：i测量所述等离子体的电流，包括：a测量在电流传感器中的电感性元件两端的电压，该电感性元件与所述电流传感器中的电容性元件电气并联，该电感性元件相对于流向所述处理室以产生和维持所述等离子体的等离子体电流呈电气串联；以及b部分地基于通过应用相关于所述等离子体的RF功率频率的线性比例因子，将所测得的在所述电感性元件两端的所述电压转换为所述等离子体的所述电流ii根据i中所测得的所述电流确定所述RF功率的所述频率的变化，以及iii调节所述RF功率的所述频率；以及d在每个站处在所述衬底上执行半导体处理操作。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 朗姆研究公司 等离子体辅助的半导体处理方法及其装置以及一种用于等离子体辅助的半导体沉积的装置
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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