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申请/专利权人：法国甫托尼公司
申请日：2020-05-22
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN113994220B
主分类号：G01R29/08
分类号：G01R29/08;H01J43/08
优先权：["20190523 FR 1905412"]
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.25#授权;2022.04.12#实质审查的生效;2022.01.28#公开
摘要：本发明涉及一种电磁辐射检测器，包括用于接收入射光子流的入口窗口310和半导体层形式的光电阴极320。在入口窗口的下游面312上沉积导电层316，并且在导电层316和半导体层320之间设置薄介电层317。导电层的电势低于半导体层的电势，以将光电子驱逐出复合区域，从而提高光电阴极的量子产率。
主权项：1.一种电磁辐射检测器，包括：玻璃入口窗口310，所述玻璃入口窗口具有用于接收入射光子通量的上游面311和与所述上游面相对的下游面312；半导体层320形式的光电阴极，所述光电阴极用于从所述入射光子产生光电子并发射由此产生的所述光电子；电子倍增器装置330，所述电子倍增器装置配置为接收由所述光电阴极发射的所述光电子并针对每个接收的光电子生成多个二次电子；以及输出装置340，所述输出装置配置为从所述二次电子中产生输出信号，其特征在于，在所述玻璃入口窗口的下游面312上沉积透明导电层316，并且在所述透明导电层316和所述半导体层320之间设置薄绝缘层317，所述透明导电层与第一电极315电连接，所述半导体层与第二电极325电连接，所述第一电极被设置为比施加在所述第二电极上的电势低的电势，所述半导体层由选自SbK2Cs、SbRb2Cs、SbRb2Cs、SbCs3、SbNa3、SbNaKRbCs、SbNaKCs、SbNa2KCs的多晶半导体材料制成，或者所述半导体层由III-IV或II-VI族单晶半导体材料制成；在所述第一电极和所述第二电极之间施加负电压以使得所述透明导电层316总是设置在比所述半导体层320形式的所述光电阴极的电势低的电势。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 法国甫托尼公司 提高量子产率的光电阴极
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