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申请/专利权人：格芯(美国)集成电路科技有限公司
申请日：2021-10-28
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN114428377B
主分类号：G02B6/124
分类号：G02B6/124
优先权：["20201029 US 17/084186"]
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.25#授权;2022.05.20#实质审查的生效;2022.05.03#公开
摘要：本公开涉及半导体结构，更具体地涉及与一个或多个气隙集成的光栅耦合器和制造方法。该结构包括：衬底材料，其包括一个或多个气隙；以及光栅耦合器，其设置在衬底材料和一个或多个气隙上方。
主权项：1.一种半导体结构，包括：体衬底材料，其包括位于所述体衬底材料中的一个或多个密封气隙；以及光栅耦合器，其设置在所述体衬底材料和所述一个或多个密封气隙上方。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 格芯(美国)集成电路科技有限公司 与一个或多个气隙集成的光栅耦合器
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