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申请/专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日：2020-02-21
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN113490996B
主分类号：H01L21/02
分类号：H01L21/02;H01L33/12;H01S5/323
优先权：["20190314 DE 102019106521.6"]
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.25#授权;2021.10.26#实质审查的生效;2021.10.08#公开
摘要：提出一种用于发射辐射的半导体器件10的生长结构1，其包括：‑包含基于砷化物化合物半导体的材料的半导体衬底2，‑设置在所述半导体衬底2上且包含基于砷化物化合物半导体的材料的缓冲结构3，以及‑具有至少一个n掺杂层5的缓冲层4，其中所述n掺杂层5包含氧。此外，提出一种具有生长结构1的发射辐射的半导体器件10。
主权项：1.一种用于发射辐射的半导体器件（10）的生长结构（1），所述生长结构包括：-半导体衬底（2），所述半导体衬底-包含基于砷化物化合物半导体的材料，-缓冲结构（3），所述缓冲结构-设置在所述半导体衬底（2）上，-包含基于砷化物化合物半导体的材料，以及-具有缓冲层（4），所述缓冲层具有至少一个n掺杂层（5），其中-所述n掺杂层（5）包含基于砷化物化合物半导体的材料和氧并且所述n掺杂层（5）中的氧的物质量占比为1015cm-3至1019cm-3，-所述缓冲结构（3）具有至少一个另外的缓冲层（8、9），所述至少一个另外的缓冲层包含基于砷化物化合物半导体的材料，是n掺杂的并且不含氧，或者是n掺杂的并且包含氧，并且-所述另外的缓冲层（8、9）在所述半导体衬底（2）或所述生长结构（1）从发光二极管结构（11）分离时用作刻蚀停止层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 欧司朗光电半导体有限公司 用于发射辐射的半导体器件的生长结构和发射辐射的半导体器件
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