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申请/专利权人：佛山市国星半导体技术有限公司
申请日：2020-03-18
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN111312874B
主分类号：H01L33/44
分类号：H01L33/44;H01L33/00
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.25#授权;2020.07.14#实质审查的生效;2020.06.19#公开
摘要：本发明公开了一种抗水解LED芯片及其制作方法、抗水解LED器件，所述芯片包括衬底、设于衬底正面的发光结构、第一保护层、第二保护层和亲水层，所述第一保护层覆盖在发光结构上，所述第二保护层设置在第一保护层上；所述第一保护层和第二保护层由绝缘的透光材料制成，所述第一保护层的致密性要高于第二保护层的致密性，且所述第二保护层的折射率小于第一保护层的折射率；所述第二保护层设有若干隔离槽，所述隔离槽设置在N电极和P电极之间，以增加水解金属的迁移距离，在不影响芯片出光效率的情况下，有效提高芯片的抗水解能力。
主权项：1.一种抗水解LED芯片，其特征在于，包括衬底、设于衬底正面的发光结构、第一保护层、第二保护层和亲水层，所述第一保护层覆盖在发光结构上，所述第二保护层设置在第一保护层上；所述第一保护层和第二保护层由绝缘的透光材料制成，所述第一保护层的致密性要高于第二保护层的致密性，且所述第二保护层的折射率小于第一保护层的折射率；所述第二保护层设有若干隔离槽，所述隔离槽设置在N电极和P电极之间，以增加水解金属的迁移距离；所述亲水层设置在衬底的背面并延伸到发光结构的侧壁上，所述亲水层由具有亲水性的绝缘材料制成；所述第一保护层由Al2O3制成，所述第二保护层由SiO2或Si3N4制成；所述隔离槽的宽度为0.1~5微米，所述隔离槽之间的间隔距离为0.8~2.5微米；所述亲水层由SiO2、SiN或Si聚合物制成；所述亲水层的厚度为500~1500埃。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 佛山市国星半导体技术有限公司 一种抗水解LED芯片及其制作方法、抗水解LED器件
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