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申请/专利权人：株式会社东芝
申请日：2020-09-01
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN113113293B
主分类号：H01L21/04
分类号：H01L21/04;H01L21/329;H01L21/331;H01L29/04;H01L29/06;H01L29/739;H01L29/861
优先权：["20200109 JP 2020-002078"]
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.25#授权;2021.07.30#实质审查的生效;2021.07.13#公开
摘要：本发明提供高品位的碳化硅基体的制造方法、半导体装置的制造方法、碳化硅基体和半导体装置。根据实施方式，在碳化硅基体的制造方法中，包括准备第1基体。第1基体包括第1基体面且包含碳化硅。第1基体面相对于第1基体的0001面倾斜。第1基体的0001面与第1基体面交叉的第1线段沿着第1基体的[11‑20]方向。制造方法包括在第1基体面形成包含碳化硅的第1层。制造方法包括将第1层的一部分除去。通过一部分的除去而露出的第1层的第1层面相对于第1层的0001面倾斜。第1层的0001面与第1层面交叉的第2线段沿着[‑1100]方向。
主权项：1.碳化硅基体的制造方法，其中，准备第1基体，所述第1基体为包括第1基体面且包含碳化硅的第1基体，所述第1基体面相对于所述第1基体的0001面倾斜，所述第1基体的所述0001面与所述第1基体面交叉的第1线段沿着所述第1基体的[11-20]方向；在所述第1基体面形成包含碳化硅的第1层；将所述第1层的一部分除去，通过所述一部分的所述除去而露出的所述第1层的第1层面相对于所述第1层的0001面倾斜，所述第1层的所述0001面与所述第1层面交叉的第2线段沿着[-1100]方向，在所述第1层的所述形成之前，对所述第1基体进行热处理。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 株式会社东芝 碳化硅基体的制造方法、半导体装置的制造方法、碳化硅基体和半导体装置
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