龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
申请/专利权人：AGC株式会社
申请日：2021-11-19
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN114538770B
主分类号：C03C3/091
分类号：C03C3/091;C03B18/02;C03B18/16;C03B18/20
优先权：["20201125 JP 2020-194934","20211105 JP 2021-180815"]
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.25#授权;2022.09.23#实质审查的生效;2022.05.27#公开
摘要：本发明涉及无碱玻璃基板以及无碱浮法玻璃基板的制造方法。本发明涉及一种无碱玻璃基板，其特征在于，所述无碱玻璃基板的板厚为0.75mm以下，并且从玻璃基板的一个表面侧实施将Cs+作为一次离子的二次离子质谱分析而求出的内部标准化氢计数的深度方向分布满足规定的条件。
主权项：1.一种无碱玻璃基板，其特征在于，所述无碱玻璃基板的板厚为0.75mm以下，并且在从玻璃基板的一个表面侧实施将Cs+作为一次离子的二次离子质谱分析D-SIMS，制作横轴为从所述一个表面起算的深度X并且纵轴为H-Si-二次离子强度比的深度方向分布，所述深度X的单位为nm，所述深度方向分布中的绘图间隔为10nm以下，并根据所述深度方向分布规定下述a～d的情况下，满足由下述c求出的c值为-0.0110以下、并且由下述d求出的s值为1.5以上且3.5以下，a在所述深度方向分布中，计算出所述深度X为450nm以上且500nm以下的内部区域中的H-Si-二次离子强度比的平均值，并将该值作为内部氢计数；b以将所述内部氢计数设为1而进行标准化后的H-Si-二次离子强度比作为内部标准化氢计数Y，重新制作横轴为所述深度X并且纵轴为所述内部标准化氢计数Y的深度方向分布，所述深度X的单位为nm；c在所述b的深度方向分布中，由所述深度X为50nm以上且150nm以下的最外层区域的图求出指数近似曲线的式1，并将所述式1中的c作为c值；logY=cX+logb1d在所述b的深度方向分布中，将所述深度X为50nm以上且450nm以下的表层区域中的内部标准化氢计数Y的平均值作为s值。
全文数据：
权利要求：
百度查询： AGC株式会社 无碱玻璃基板以及无碱浮法玻璃基板的制造方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号